晶格常数

摘要： 采用同步辐射技术研究了温度对马氏体和铁素体晶格常数的影响规律.研究结果表明,马氏体和铁素体的晶格常数均随着温度的升高而逐渐增大,但马氏体的衍射峰有分峰现象,而铁素体的衍射峰没有分峰现象.对马氏体的{110}和{200}衍射峰进行分峰处理,得到马氏体晶格常数a和c随温度升高逐渐增大,但晶格常数a的增大速度要大于c的速度,即马氏体的正方度逐渐降低.当温度升至500°C时,马氏体正方度c/a=1.铁素体的晶格常数随温度的变化规律与马氏体晶格常数a的基本相同,而与马氏体晶格常数c的明显不同,表明了温度对马氏体晶格常数的影响本质.除此以外,通过对同步辐射数据的分析,建立了马氏体和铁素体晶格常数随温度变化的数值方程.

摘要： 本文简述了同位素纯硅材料在新领域中的应用,并回顾早期关于稳定同位素硅-28(^(28)Si)的获得和进行的一些相关实验。针对在计量单位-千克的重新建立过程中,利用硅-28精确测量阿伏伽德罗常数的问题,本文根据相关理论和文献,推导了同位素丰度与晶格常数的关系,并据此估算了硅同位素丰度需要达到的要求。

摘要： X射线衍射(XRD)实验是分析物质结构的重要手段,在物理学相关专业的教学中逐渐受到重视.本文对样品台高度变化Δz引起的测量误差进行了系统分析,发现样品台高度偏移Δz会使衍射峰位产生明显偏差Δ2θ,进而引起晶面间距和晶格常数的计算偏差.数据拟合结果表明Si样品晶面间距偏差Δd/d和晶格常数偏差Δa/a与Δz近似线性相关.本文结合Bragg-Brentano衍射几何,对上述实验结果进行了理论分析.本文对XRD实验精确测定晶格常数提供了参考依据,也将为相关教学工作开展提供重要参考.

摘要： 采用微波烧结制备(1-x)Ca0.61La0.26TiO3-xLa(Mg0.5Ti0.5)O3[x=0.35～0.60,(1-x)CLT-xLMT]微波介质陶瓷,研究烧结工艺和成分配比对其物相组成、显微结构和微波介电性能的影响.结果表明,与常规烧结相比,(1-x)CLT-xLMT陶瓷的微波烧结温度低100°C,烧结时间缩短5/6;(1-x)CLT-xLMT陶瓷均形成了钙钛矿结构,随着x的增大其介电常数ε呈下降的趋势,Qf值则先增大至28038 GHz后降至6940 GHz,谐振频率温度系数τf不断减小.当x=0.40时其综合微波介电性能较佳:ε=47、Qf=19257 GHz、τf=7.9×10-6/°C,(1575°C,30 min).可应用于移动通讯领域.

摘要： 利用特殊准随机结构(special quasi-random structure,SQS)模拟顺磁性奥氏体相,基于密度泛函理论的第一性原理,使用VASP软件计算了无磁性和顺磁性fcc Fe结构的磁矩、平衡晶格常数及空位形成能,并与前人的实验值和模拟计算值进行对比.结果显示,相较于传统的无磁性模拟方法而言,利用SQS模型模拟顺磁性奥氏体相不仅能体现出单个铁原子的磁性特点,并且计算得到的空位形成能和晶格常数与实验值有着更好的一致性,由此可见,利用SQS模型构建顺磁性奥氏体相是可行的.

摘要： 类石墨烯材料具有与石墨烯相似的结构和物理性质,对它们的研究可以为纳米尺寸器件的应用提供基础.单层锑(锑烯)具有2.28 eV的宽带隙,二维结构与石墨烯相似,且具有较强的自旋轨道耦合作用,研究发现在应力下会产生拓扑相变,未来有望应用于量子信息传输和量子计算.本文介绍了锑烯近年来的研究现状,对目前存在的问题进行总结.

摘要： 本文对CVD(Chemical Vapour Deposition,CVD)外延生长中作为衬底的高温高压(HTHP)单晶金刚石进行拉曼光谱测试,利用谱峰半高宽(FWHM)判断了衬底的结晶质量。开展了升温(室温~1000°C)和降温(1000°C~室温)过程中衬底晶格变化的X射线原位测量研究。实验表明:衬底的晶格常数随温度变化而变化,在1000°C时因晶格变化而产生的应力大小为GPa量级。晶格常数在降温过程要比升温过程的数值大,线膨胀系数的计算结果也发现了相同的现象。根据傅里叶红外光谱仪(FT-IR)测试结果推断:造成上述变温过程中晶格变化差异的原因在于样品中氮浓度的不同,其中氮浓度越高,拉曼光谱的半高宽越大,衬底的晶格常数变化越大,线膨胀系数越大。

摘要： 以电熔铬刚玉和白刚玉为主要原料,用Cr2O3微粉部分替代电熔铬刚玉细粉,研究了Cr2O3微粉加入量对Al_(2)O_(3)-Cr2O3质耐火材料常温和高温性能、物相组成和显微结构的影响。结果表明,随着Cr2O3微粉加入量的增加,原位形成了(Al1-xCrx)2O3固溶体,促进了烧结,材料的显气孔率先降低后升高,且(Al1-xCrx)2O3固溶体的晶格常数呈线性增加,符合Vegard定律。材料的常温抗折强度和常温耐压强度随Cr2O3微粉加入量的增加先升高后降低,在Cr2O3微粉加入量为15%(质量分数)时强度达到最大值。而当Cr2O3微粉加入量为20%(质量分数)时,由于有挥发现象,材料显气孔率上升,强度下降。材料高温抗折强度随Cr2O3微粉加入量的增加而增加,材料的残余强度保持率呈先降低后升高的趋势。

摘要： 天然气水合物被认为是未来理想替代能源之一,相关基础与应用研究已成为国内外研究热点.客体分子对水合物晶胞参数的影响规律研究是水合物结构特征研究的重要内容,对理解水合物主客体分子间相互作用、形成分解微观机理及其稳定性变化具有重要意义.为考察不同客体分子对水合物微观结构特征的影响,本文合成了系列水合物样品(甲烷、乙烷、丙烷、异丁烷、二氧化碳、四氢呋喃、甲烷+2,2-二甲基丁烷和甲烷+甲基环己烷),并基于低温X射线衍射技术对样品结构特征进行了分析,探讨了水合物样品晶格常数与客体分子尺寸间的关系.结果 表明,(1)低温X射线衍射技术能够有效获取天然气水合物样品的晶格常数及结构类型等特征.(2)甲烷、乙烷、丙烷及异丁烷等烷烃类同系物形成的单一组分水合物样品晶格常数与客体分子的尺寸(范德华直径)呈现正相关关系.同等条件下,分子尺寸越大,相应水合物的晶格常数越大.尺寸较小的甲烷、乙烷生成l型结构水合物,而丙烷、异丁烷等相对较大的分子则形成Ⅱ型结构水合物.(3)含氧原子客体分子(如CO2、 THF)水合物样品的结构类型依然受范德华直径的控制,但其晶格常数与客体分子尺寸间的相关性不遵从烷烃类水合物的正相关关系,分析认为该现象是氧原子特殊的电负性致使客体分子与“水笼”间产生异常相互作用所致.(5)H型水合物样品中,大分子与辅助小分子对水合物不同方向晶轴长度影响分别呈现反向趋势特征.与甲烷+2,2---甲基丁烷水合物样品相比,甲烷+甲基环己烷水合物样品a轴方向长度较短,而c轴方向长度略长.与相同温度下甲烷+2,2-二甲基丁烷水合物样品相比,由小分子氮气辅助形成的H型水合物样品晶胞a轴方向略长,而c轴方向长度较短.

摘要： 基于有限元法研究含柱状局域共振单元的声学超材料板的隔声特性,探究多种结构设计方案下晶格常数对其隔声特性的影响.首先分析不限定附加共振单元质量情况下,晶格常数对隔声特性的影响,分析发现随着晶格常数变大,共振单元影响不断变小最后与均质板隔声曲线吻合.其次分析限定附加共振单元质量比100％前提下晶格常数的影响,分为固定或变化柱状局域共振单元半径两种情况讨论.固定半径的情况下,晶格常数取较小值取得隔声效果较好.变化半径的情况下,晶格常数不宜取得过大或过小,而应该取适中值.

摘要： 双钙钛矿结构复合氧化物Sr2FeNbO6 (SFN)可作为氢电极材料应用于固体氧化物电解池，辅助完成水蒸汽在高温下的催化分解反应。以第一性原理计算软件Material Studio的CASTEP模块,对Sr2FeNbO6(SFN)的结构、性能进行优化模拟,并与实验真实值对比,研究适合于SFN材料体系的交换关联泛函及相关参数的合理设置.具体为:采用不同的交换关联泛函对晶胞进行几何结构优化,研究不同泛函对晶胞参数计算结果的影响;分别计算电子结构及禁带宽度,并与采用紫外-可见漫反射分析得到的禁带宽度值比较;对体系进行计算收敛测试,判断合适的K点取样、截断能;研究采用Hubbard模型对Fe和Nb赋不同U值对SFN禁带宽度及晶格参数计算结果的影响.结果表明:使用GGA-PBESOL泛函,当K点取样密度为(2×2×2),截断能为400 eV时,已经可以满足基本的计算精度要求:使用GGA+U方法,当UFe=7eV、Um=9 eV时,计算出的禁带宽度和晶格常数与实验值符合较好.

摘要： 基于电荷密度泛函理论在局域电荷密度近似或广义梯度近似的CASTEP软件包,可以根据给定晶胞棱边 长度的一个原胞求解Kohn-Sham方程,并算出相应的结合能,当结合能为最小值时,整个原胞的结构最为稳定,此时原胞的长度即为晶格常数.采用此方法计算了时效析出相Al2Cu的结合能和品格常数,计算的结果与 实验吻合度高.

摘要： 采用X射线精确测定Al-Zn、Al-Mg、Al-Cu二元合金及7B04、7050和7B85四元合金过饱和固溶体的晶格常数,研究元素Zn、Mg、Cu对过饱和固溶体晶格常数的影响,尝试从晶格畸变对过饱和固溶体稳定性影响的角度出发,解释淬火敏感性的机理。结果表明,主合金元素Zn、Mg、Cu的含量影响合金过饱和固溶体的晶格常数,Al-Cu合金固溶体晶格常数随着Cu元素含量的增加快速降低,Al-Mg合金固溶体品格常数随着Mg元素含量的增加迅速上升,Al-Zn合金固溶体晶格常数随着Zn元素含量的增加略有下降,主合金元素对固溶体品格常数影响从大到小次序为;Cu、Mg、Zn。从7B04、7050到7B85合金,固溶体晶格畸变降低,过饱和固溶体稳定性增加。

摘要： 新型IV族半导体材料GeSn合金由于其带隙可连续变化,并可制作为与互补金属氧化物半导体CMOS工艺相匹配的硅基激光器,对其的研究在近几年来日趋火热.GeSn合金能带结构在Sn组分大于～6.5％-11％能够转变为直接带隙.然而,GeSn材料的晶格常数大于Ge材料,因此在Ge衬底上生长的GeSn材料一般都存在较高的压应变,压应变的存在会阻碍其能带的转变,难以形成直接带隙.

摘要： 使用电弧熔炼法制备了添加C元素含量为0到10at.％的Nb-20Ti-16Al合金并进行了热处理,并通过X射线衍射分析(XRD),电子探针(EPMA)和高温压缩实验得到了合金的组织和性能.结果表明,合金在1100°C热处理过程中,Nb-20Ti-16Al合金发生了Nbss(铌基固溶体)→Nbss+Nb3Al反应,而添加了C元素的合金中,反应则为Nbss+(Nb,Ti)C→Nbss+Nb3Al.随着C元素的添加,Nbss和Nb3Al的晶格常数均减小,同时合金的力学性能发生改变.

摘要： 通常情况下,金属或者合金的氕化物、氘化物和氚化物的稳定性不同,从而体现同位素效应.这种效应在氢同位素的处理中有许多的应用,例如氢同位素的富集、分离、纯化及再生等.在材料的各种性质中,影响同位素效应的主要因素是合金的平均价电子浓度(e/a)和几何因素.在本文中,系统地研究了Ti-V-Cr系合金中,e/a和晶格常数对同位素效应的影响.对于前者,V含量固定在40at.％;而后者的e/a则固定在5.

摘要： 研究了Ni、Cu含量对Mn系NTC热敏半导体陶瓷材料电学性能的影响.研究结果表明,随着Ni含量的增加,Mn3+/Mn4+离子对浓度先增加后减少,室温电阻率ρ25呈U型变化;材料晶格常数随着Ni含量的增加而增大,导致电子跳跃距离增大、迁移激活能增加,材料常数B值增大.随着Cu含量的增加,材料室温电阻率ρ25和材料常数B值都减小,同时由于Cu具有促进烧结的作用,材料的烧结温度随着Cu含量的增加而下降,而过高的烧结温度会使得材料的室温电阻率ρ25增加.

摘要： 以铁合金厂铝钛渣和二氧化钛为主要原料,通过固相反应制备钛酸铝材料.用XRD法和SEM法对检测材料的相组成和显微结构,用X' Pert plus计算钛酸铝材料主晶相的晶格常数和结晶度,利用半定量法计算材料中主晶相含量.研究分析二氧化锆含量和烧成温度对钛酸铝材料组成、晶格常数、结晶度和显微结构的影响.结果表明,由于Zr4+对Mg2+的置换作用导致钛酸铝相晶格常数的畸变,Zr4+置换作用所形成的结构缺陷加速了钛酸铝材料结构中离子的交换速度.温度升高所产生的热缺陷也促进了钛酸铝材料的固相反应.

摘要： 在XRD衍射仪上搭建控温测温装置,扫描不同温度下的晶体衍射图谱,得到晶面间距d随温度的变化关系,设计了一种基于XRD的晶体温度计,并应用于VO2,获得了基于XRD的VO2的相变温度.

摘要： 本发明公开了包括p-掺杂的AlGaInAs隧道层和n-掺杂的InP隧道层的II型隧道结。进一步公开了在光电子电池之间并入高带隙II型隧道结的太阳能电池。

摘要： 本发明涉及一种基于矩形孔晶格常数渐变的空气模一维光子晶体纳米束腔传感器。本发明在一维纳米束硅波导上，首次通过引入从腔中心到两侧晶格常数逐渐减小的矩形孔，形成空气模光子晶体纳米束腔，使得光场主要局域在低折射率区域，从而增强光与物质相互作用的时间和强度，提高传感器的灵敏度和品质因子。当两侧空气孔数分别为8个时，其品质因子高达1.27×10

摘要： 本发明提供一种方铁矿高温晶格常数的原位表征方法，包括如下步骤：以α‑Fe和Fe3O4为反应物在一定条件下合成方铁矿；对合成的方铁矿进行高温原位XRD表征；对所得的XRD表征数据进行处理以测定方铁矿的高温晶格常数。本发明提出了一种基于原位XRD表征方法以测定方铁矿高温下晶格常数的新方法，融合了材料合成与测试领域的相关技术和数据处理方法，方法有效、可靠性高、相关技术成熟，可应用于方铁矿及其它部分材料在高温下的晶格常数精密测定，通过对材料XRD衍射图谱的晶修以及相关公式可计算出晶格常数，其结果精确且可靠性高。

摘要： 本发明公开了基于晶格常数的单晶材料势函数修正方法，包括：步骤一，建立块体纳米材料分子动力学仿真模型；步骤二，设置分子动力学计算参数，它包括势函数参数；步骤三，依据设置的计算参数采用分子动力学模拟的方法计算并且输出体系总势能；步骤四，调整晶格参数并计算总势能，直至获得最低总势能，计算该最低体系总势能所对应的晶格常数；步骤五，判断步骤四所计算得到的晶格常数是否符合晶体数据库中的晶格常数值，如不符合，则执行步骤六，如果符合，则执行步骤七；步骤六，调整势函数参数然后执行步骤三；步骤七，获得修正后的最优计算参数，依据该最优计算参数确定势函数。它具有如下优点：能提高分子动力学仿真中势函数的计算精度。

摘要： 本发明提出一种测试蓝相I在电场中的三维晶格常数的方法，该方法基于科塞尔衍射和布拉格反射光谱两种光学表征手段，利用孪晶结构的特殊对称性，通过对蓝相I的孪晶结构分别在零场和电场中进行原位测试，可计算得出蓝相I在不同电场强度下的三维晶格常数。模拟实验结果表明，通过该方法测试所得的蓝相I三维晶格常数与实际数据吻合度较高。该方法适用于在零场和低电场强度下对蓝相I的三维晶格常数进行实时测试，具有操作简便、测试参数少和精度高(±10nm)等优点，对于开发高性能的蓝相电光器件具有实际参考价值。

摘要： 本发明涉及一种基于原子尺度特征描述符预测钙钛矿晶格常数的方法，包括以下步骤：S1、通过不同来源采集各种晶体结构的ABX3型钙钛矿的晶格常数及元素特征数据，经过筛选后获得原始数据集；S2、计算每种ABX3型钙钛矿的键价向量和BVVS、N个原子体系总动能Ekin和晶体的热膨胀系数α，将上述参数共同作为分子描述符；S3、基于所述原始数据集和所述分子描述符构建训练集和测试集；S4、基于AdaRNN神经网络算法模型构建晶格常数预测模型，根据S2的训练集和测试集对所构建的晶格常数预测模型进行训练，得到训练好的晶格常数预测模型；本发明在不需要任何人工干预的情况下，可以大规模自动化快速地获得相当精确的钙钛矿晶格常数。

摘要： 本发明涉及一种晶格常数渐变型多模式椭圆孔一维光子晶体纳米束双参量传感器，属光子晶体传感技术领域。基于矩形硅波导首次引入晶格常数渐变的椭圆孔，晶格常数从波导中心到两侧逐渐增加，构成多模式一维光子晶体纳米束传感器，基模Q值大于1.5×10

摘要： 本发明的名称是用于多结太阳能电池的InP晶格常数的II型高带隙隧道结。公开了包括p‑掺杂的AlGaInAs隧道层和n‑掺杂的InP隧道层的II型隧道结。进一步公开了在光电子电池之间并入高带隙II型隧道结的太阳能电池。

摘要： 本发明涉及一种基于矩形孔晶格常数渐变的空气模一维光子晶体纳米束腔传感器。本发明在一维纳米束硅波导上，首次通过引入从腔中心到两侧晶格常数逐渐减小的矩形孔，形成空气模光子晶体纳米束腔，使得光场主要局域在低折射率区域，从而增强光与物质相互作用的时间和强度，提高传感器的灵敏度和品质因子。当两侧空气孔数分别为8个时，其品质因子高达1.27×10

摘要： 本发明提供一种方铁矿高温晶格常数的原位表征方法，包括如下步骤：以α-Fe和Fe3O4为反应物在一定条件下合成方铁矿；对合成的方铁矿进行高温原位XRD表征；对所得的XRD表征数据进行处理以测定方铁矿的高温晶格常数。本发明提出了一种基于原位XRD表征方法以测定方铁矿高温下晶格常数的新方法，融合了材料合成与测试领域的相关技术和数据处理方法，方法有效、可靠性高、相关技术成熟，可应用于方铁矿及其它部分材料在高温下的晶格常数精密测定，通过对材料XRD衍射图谱的晶修以及相关公式可计算出晶格常数，其结果精确且可靠性高。