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白金超; 张光明; 郭总杰; 郑云友; 袁剑峰; 邵喜斌;
北京京东方显示技术有限公司,北京100176;
薄膜晶体管阵列工艺; 四次光刻; 光刻胶; 灰化;
机译:超低k相容性二氧化碳原位光刻胶灰化过程的机理研究。一,工艺性能及其对ULK材料改性的影响
机译:光刻胶灰化过程中的低k材料损坏
机译:光刻胶灰化大气压等离子体
机译:灰化过程中烟灰化学成分和添加剂对熔体温度影响的研究。
机译:阴极射线极谱法干法灰化测定血铅:与湿式灰化技术比较
机译:通过大气压发光等离子体光刻胶灰化。
机译:使用氧化化学法评估后灰化光刻胶清洁
机译:在滤色器制造过程中使用的彩色光刻胶去除方法,包括在基板上依次执行等离子体灰化,湿法蚀刻和等离子体灰化工艺,以去除基板上的彩色光刻胶残留物
机译:灰化设备和使用该灰化设备灰化光刻胶膜的方法
机译:有机光刻胶去除成分,能够在硬烘烤,等离子刻蚀和高温灰化过程后有效去除光刻胶和光刻胶残留物
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