半导体技术

         

摘要

双极场引晶体管:Ⅲ.短沟道理论(双MOS栅纯基);Ge/Si量子阱结构的C-V特性的模拟;用MOCVD方法在GaAs衬底上低温生长ZnO薄膜;300mm掺氮直拉硅片的原生氧沉淀径向分布

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