第三代半导体:2018年是产业化准备的关键期

摘要

＜正＞以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）等宽禁带为代表的第三代半导体材料,相较前两代产品,性能优势显著并受到业内的广泛好评。第三代半导体具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点,因此也被业内誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的"核芯"以及光电子和微电子等产业的"新发动机"。