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张斐洋;
安徽大学电子信息工程学院;
静态随机存取存储器; CMOS 6管单元; 深亚微米SRAM设计; 电路仿真;
机译:基于垂直λ双极晶体管的新型SRAM存储单元的分析与设计
机译:在基于硬件和软件的容错技术保护下的基于SRAM的FPGA中评估中子诱导的SEE
机译:用于低功耗65 nm FD-SOI / SON CMOS技术的高速减少泄漏的SRAM存储单元设计技术
机译:使用Cadence工具的低功率6T SRAM单元的VLSI设计与分析
机译:除了用于基于SRAM的单元中的泄漏和温度控制的存储单元以外,外围电路还具有重要意义。
机译:基于纳米管的存储单元的设计与分析
机译:超低功耗SRAM和SRAM基于PUF设计
机译:基于sRam的现场可编程门阵列电路的硬件,软件和数据分析技术
机译:具有MISFET SRAM单元的半导体器件,其有源区和栅电极的尺寸设计成在不增加存储单元尺寸的情况下增加存储节点电容
机译:适用于RF CMOS和RF SIGE BICMOS应用的高容忍TCR平衡高电流电阻器,以及具有可调TCR和ESD电阻镇流特性的基于CADENCE的基于层次的分层参数化电池设计套件
机译:基于设计规范介绍软件应用程序的计算机实现方法
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