SIMS对氘靶钛膜中氘的分布研究

摘要

用负的ＳＩＭＳ分析技术进行Ｈ同位素相对含量Ｔｉ膜深度变化的分析，获得了氘随膜深度变化的分布曲线。在接近膜表面的一个深度范围内，除有明显的Ｏ＾－、ＣＯ＾－和很微弱的ＯＨ＾－，ＯＤ＾－及ＣＨＯ＾－峰谱外，还有很大的Ｄ＾－二次离子质谱峰，氘的丰度估计约为９８％。在靶膜内部，氘的丰度达９９％以上。