SIMS

摘要： p-on-n结构的碲镉汞红外探测器具有长的少子寿命、低暗电流、高R;A值等优点,是高温器件、长波甚长波器件发展的重要器件结构。而国内还鲜有砷注入掺杂p-on-n长波HgCdTe探测器的相关报道,为了满足军事、航天等领域对高性能长波探测器迫切的应用需求,针对As离子注入的长波p-on-n碲镉汞红外探测器退火工艺技术进行研究。采用二次离子质谱(SIMS)仪分析注入及退火后As离子浓度分布情况,使用半导体参数测试仪表征pn结的I-V特性。研究结果表明,在富汞0.5 h 430°C+20 h 240°C条件下,实现As激活,成功制备As注入长波15μm 640×512的p-on-n碲镉汞红外焦平面器件,器件有效像元率大于99.7%。该研究对长波甚长波碲镉汞p-on-n焦平面器件的制备具有重要意义。

摘要： 为了研究低能电子辐照对单晶硅器件表面钝化材料中产生的化学微结构的变化,在轻掺杂P型单晶硅基底上制作了三种表面钝化膜,分别是单一SiO2钝化膜、SiO2/Si3N4复合钝化膜、硼硅玻璃/Si3N4复合钝化膜,开展了表面钝化单晶硅在最大能量70 keV的加速器电子束下的辐照实验.样品在空气气氛下辐照6 h,用二次离子质谱(SIMS)测试了辐照前后三种表面钝化膜中Si、N、B的纵深变化,同时用Ar离子刻蚀X射线表面光电子能谱(XPS)对Si元素的化学结合状态进行测试分析.结果表明:对单一SiO2钝化的轻掺杂P型材料,辐照在SiO2/Si界面产生明显的材料结构变化,界面附近的SiO2不再是完整化学计量比,而是SiOx(x<2);对SiO2/Si3N4复合钝化的轻掺杂P型材料,辐照对SiO2/Si3N4界面结构影响较小,主要的影响仍然在SiO2/Si界面,SiO2辐照分解后产生的游离O元素可扩散到SiO2/Si3N4界面;辐照在硼硅玻璃/Si界面和硼硅玻璃/Si3N4界面引起的变化小于在SiO2/Si界面和SiO2/Si3N4界面的变化.研究表明低能电子辐照对单晶硅表面钝化层的化学微结构损伤主要存在于SiO2/Si界面,该结构损伤并不能通过SiO2/Si3N4复合钝化得到明显改善,而采用硼硅玻璃/Si3N4复合钝化有助于增强单晶硅表面及钝化层各界面材料结构的稳定性.

摘要： Geophysical and geochemical evidence revealed that certain amounts of water are stored in the Earth’s interior,and its distribution exhibits temporal and spatial differences.Recent studies indicate that the H_(2)O-in-zircon has a potential to reveal magma water content.Using secondary ion mass spectrometry(SIMS),we analyzed the zircon water content and oxygen isotopes in granitoids(two-mica granite,quartz monzonite,diorite,and granodiorite)from southern Tibet.The results are used to explore the diversity of water content in crust-derived magmas,which is also supported by the LA-ICPMS zircon trace element analysis.There are low zircon water contents for two partial melting products of the ancient crust(peak at 85 and300 ppm,respectively).Meanwhile,there are high H_(2)O-in-zircon peaks(435 and 475 ppm,respectively)for two partial melting products of the juvenile crust.The calculated radiation damage accumulation in these zircon grains is below 3×10^(15)αdecay events mg^(–1),suggesting that the zircon grains are well crystalline.There is no correlation between REE+Y and H+P,indicating that the mechanism of charge balance for water uptaking into zircon,in which the excess of REE+Y to P controls Hcontent,is not applicable to the studied samples.The degree of magma fractionation cannot account for the zircon water content variation,because there is no co-variation between zircon Hf and H_(2)O contents.Similarly,the degree of partial melting was unlikely to be responsible for the H_(2)O-in-zircon distinction.We interpret that the H_(2)O-in-zircon variation reflects the influence of melting mode(dehydration vs.water-fluxed)and water content in the crustal source.In the Late Devonian,dehydration melting of the crustal rocks was facilitated at elevated temperatures,which produced magmas with the lowest water contents.Water-fluxed melting of the ancient crust would produce relatively“drier”magma than water-fluxed melting of the juvenile crust.

摘要： 以整车主动悬架的控制为研究对象,对车身的垂向跳动、车体俯仰以及侧倾振动进行调控,采用SIMS捷联式惯性测量技术实时采集车身姿态数据,建立了7自由度的车辆动力学模型,引入大系统分散控制将整车控制分散为4个1/4车体的垂向控制,通过仿真分析证明,本文提出的基于SIMS的车辆主动悬架控制技术能有效控制车身姿态变化,改善了车辆动态性能.

摘要： 磷灰石U-Pb-O同位素组成可为地质工作者提供年龄及流体来源等关键信息.相山铀矿田横涧铀矿床中大量产出同铀矿物共伴生的磷灰石,是成矿年龄及流体来源限定的良好对象.磷灰石SIMS U-Pb同位素测试参考样品PRAP、NW-1缺乏,用作LA-ICP-MS定年参考物质的MAD磷灰石具有较低的普通Pb组成.文章提出以MAD磷灰石作为参考样品开展SIMS定年工作,结果表明Durango、McClure磷灰石监控标样年龄分别为(34.4±1.9)Ma、(522±19)Ma,同年龄推荐值在误差范围内一致.利用Qinghu磷灰石作为O同位素分析参考标样,获得Durango磷灰石O同位素值(9.77±0.24)‰(2SD,n=15)、(9.67±0.18)‰(2SD,n=18),同推荐值在误差范围内一致.因此文章基于MAD、Qinghu磷灰石建立的二次离子质谱U-Pb-O同位素测试方法是可行的.

摘要： To meet the rapid development of zircon U-Pb geochronology and Hf-O isotope geochemistry,it is imperative to develop well-characterized zircon reference materials for microbeam analysis.Here,zircon KV01 separated from the Kaap Valley pluton,South Africa is introduced as a potential Archean reference material for microbeam U-Pb age and Hf-O isotope determination.SIMS and LA-ICP-MS U-Pb isotopic measurements gave grand mean 207Pb/206Pb ages of 3233±16 Ma(2 s,n=90)and 3230±26 Ma(2 s,n=52),which are consistent with reported CA-ID-TIMS results.Slight heterogeneity of oxygen isotopes is revealed by SIMS analyses that yielded a relatively largeδ18O range of 4.61–6.51‰.Among them,the zircon grains with clear oscillatory zones give a grand meanδ18O value of 6.17±0.33‰(2 s),which is suggested to record the primary O isotopic compositions.The homogeneity in the Hf isotopic compositions of KV01 zircon was checked by the laser ablation and solution MC-ICP-MS methods.They yielded consistent results with a recommended 176Hf/177Hf ratio of 0.280810±0.000013(2 s).The results reported here demonstrate that KV01 zircon could be a reliable reference material for microbeam 207Pb/206Pb age and Hf isotope determinations of ancient zircons,and be suitable as a quality monitor for SIMS oxygen isotopic analysis.

摘要： Objective The Hengjian uranium deposit is a typical hydrothermal deposit in the Xiangshan uranium ore field.The uranium mineralization ages of the Xiangshan deposits are poorly constrained,and only a few mineralization ages using the pitchblende U–Pb method have been published.These ages are commonly discordant and dispersed for abundant inclusions and an open U–Pb system.Zircon grains after strong hydrothermal alteration are usually characterized by high common Pb contents,and their U–Pb isochron ages recorded the hydrothermal alteration event without interference of common Pb components.The Hengjian gray/grayish-green granite porphyry experienced strong alteration by hydrothermal fluids during the pervasive uranium mineralization in the Xiangshan uranium ore field.Uranium mineralization in the Hengjian deposit may had different stages,and strong hydromicatization alteration occurred at a relatively early stage.Their altered zircon U–Pb isochron ages possibly represent relatively early mineralization age of the Xiangshan uranium deposits.Altered zircon grains from the Hengjian granite porphyry were analyzed using the secondary ion mass spectrometry(SIMS)U-Pb method in this study,and U–Pb isochron ages were measured to constrain the relatively early mineralization age of the Hengjian uranium deposit.

摘要： 实际环境样品基体成分十分复杂,多原子离子对二次离子质谱(SIMS)单微粒铀同位素比分析的影响不可忽略.本文实验分析了Pb、Ni、Zn、Si的多原子离子在SIMS单微粒铀同位素比分析中的干扰,并分别采用提高质量分辨率以及根据核素离子强度扣除其多原子离子的方法对结果进行校正.结果表明:Pb和Ni的多原子离子会影响含铀微粒次同位素比的测量,对铀主同位素比的影响可忽略;Zn和Si的多原子离子对铀主、次同位素比测量均基本无影响.将质量分辨率提高至800,能完全消除Ni多原子离子的影响,Ni-CRM U030混合(Ni粉混合CRM U030)微粒234U/238U同位素比测量值与参考值之间的相对偏差基本好于5％,236U/238U同位素比测量值与参考值之间的相对偏差基本好于15％;Pb多原子离子干扰无法通过提高质量分辨率进行消除,根据Pb离子强度扣除其多原子离子后,Pb-CRM U030混合微粒的234U/238U同位素比测量值与参考值之间的相对偏差基本好于10％,236U/238U同位素比测量值与参考值之间的相对偏差基本好于50％.将以上消除干扰的方法应用于真实样品分析,结果表明,其有效消除了多原子离子带来的干扰.

摘要： 南盘江盆地是华南板块西南缘最大的沉积盆地之一.它的构造属性、形成时间及机制长期存在争议,影响着对华南印支造山过程的准确理解.南盘江盆地内除三叠系填充物外,断续出露着古生代碳酸盐岩.这些古生代碳酸盐岩实为三叠纪盆地下伏地层在盆地伸展张开过程中形成的断隆,在这些断隆周边发育有似层状或脉状辉绿岩,记录了南盘江盆地发育初期或早期的地质演化信息.本文用Cameca IMS 1280二次离子质谱仪对南盘江盆地东南部八渡辉绿岩中的斜锆石和锆石进行了U-Pb同位素测试,分别获得206Pb/238U年龄加权平均值(269.3±4.2)Ma(95％置信度,N=15,MSWD=0.27)和(265.0±2.9)Ma(95％置信度,N=8,MSWD=0.02,表明八渡辉绿岩侵位于中二叠世沃德期(Wordian;265.1～268.8 Ma),指示了南盘江盆地在此时处于伸展构造体制.这与南盘江盆地内广泛发育晚二叠世—早三叠世(258～248 Ma)基性岩浆活动,以及南盘江盆地晚二叠世—早三叠世时期沉积环境由碳酸盐岩台地相沉积快速转变为以浊积扇相为主的深水沉积等地质事实,共同表明南盘江盆地在中二叠世—早三叠世处于伸展构造体制.

摘要： 本文利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作P型和N型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂曲线,文中给出了部分器件测试结果.

摘要： 本文利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作P型和N型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂曲线,文中给出了部分器件测试结果.

摘要： 本文利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作P型和N型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂曲线,文中给出了部分器件测试结果.

摘要： 本文利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作P型和N型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂曲线,文中给出了部分器件测试结果.

摘要： 采用SEM(扫描电镜)法、SIMS(二次离子质谱)法、ICP(电感偶合等离子)直读光谱仪法对掺锗CZSi中的锗浓度进行了测定,结果发现对于杂质锗浓度大于1.0wt％的单晶样品,采用SEM能谱分析法为宜,锗浓度小于1.0wt％的单晶样品,采用SIMS或ICP直读光谱仪法较好.

摘要： 采用SEM(扫描电镜)法、SIMS(二次离子质谱)法、ICP(电感偶合等离子)直读光谱仪法对掺锗CZSi中的锗浓度进行了测定,结果发现对于杂质锗浓度大于1.0wt％的单晶样品,采用SEM能谱分析法为宜,锗浓度小于1.0wt％的单晶样品,采用SIMS或ICP直读光谱仪法较好.

摘要： 采用SEM(扫描电镜)法、SIMS(二次离子质谱)法、ICP(电感偶合等离子)直读光谱仪法对掺锗CZSi中的锗浓度进行了测定,结果发现对于杂质锗浓度大于1.0wt％的单晶样品,采用SEM能谱分析法为宜,锗浓度小于1.0wt％的单晶样品,采用SIMS或ICP直读光谱仪法较好.

摘要： 采用SEM(扫描电镜)法、SIMS(二次离子质谱)法、ICP(电感偶合等离子)直读光谱仪法对掺锗CZSi中的锗浓度进行了测定,结果发现对于杂质锗浓度大于1.0wt％的单晶样品,采用SEM能谱分析法为宜,锗浓度小于1.0wt％的单晶样品,采用SIMS或ICP直读光谱仪法较好.

摘要： 采用SEM(扫描电镜)法、SIMS(二次离子质谱)法、ICP(电感偶合等离子)直读光谱仪法对掺锗CZSi中的锗浓度进行了测定,结果发现对于杂质锗浓度大于1.0wt％的单晶样品,采用SEM能谱分析法为宜,锗浓度小于1.0wt％的单晶样品,采用SIMS或ICP直读光谱仪法较好.

摘要： 智能剥离(smart cut)技术是近年来刚刚兴起的一种新型的形成SOI材料的方法.它所形成的SOI材料其顶层硅膜具备单体晶硅的优点,同时又克服了利用普通键合技术形成SOI材料的减薄困难,是当前SOI技术研究中的前沿领域.本文讨论了智能剥离技术中的一些问题,包括:(1)SOI材料的表面缺陷(泡,微空洞,边缘缺陷等)的形貌,起源及消除办法;(2)给出SOI材料顶层硅内重金属杂质分布的SIMS测量结果.

摘要： 本发明公开了一种SIM卡自助柜，包括：自助柜柜体、第一储物仓和第二储物仓；第一储物仓用于储存新SIM卡，第二储物仓用于储存旧SIM卡；自助柜柜体还设置有推送装置、入卡口和出卡口，推送装置用于将SIM卡从入卡口推送至第一储物仓或第二储物仓；还用于将SIM卡从第一储物仓或第二储物仓中推送至出卡口输出SIM卡；本发明还公开了一种SIM卡自助柜装置，包括：控制模块、通讯模块、SIM卡识别模块、身份识别模块、采集模块和执行模块；本发明通过对SIM卡序列号进行识别储存在服务器中，结合SIM卡自助柜对新卡、旧卡分类控制储存，从而对SIM卡序列号进行智能识别储存，并智能储存SIM卡，进而实现提高序列号录入效率和降低序列号录入错误率，并实现妥善储存SIM卡。

摘要： 本申请公开了SIM卡、SIM卡的更新方法及对SIM卡操作系统进行更新的方法，其中SIM卡的卡内包括切换模块和更新模块，并预置有第一片内操作系统和第二片内操作系统；切换模块：接收切换指令，并将切换指令下发至第一片内操作系统或第二片内操作系统，对第一片内操作系统或第二片内操作系统进行相互切换；更新模块：接收APP下发的更新指令，并将更新指令下发至第二片内操作系统对第一片内操作系统进行更新操作。本申请具有卡内双操作系统可相互切换，且便于卡内Java cos更新的技术效果。

摘要： 本发明公开了一种SIM卡自助柜，包括：自助柜柜体、第一储物仓和第二储物仓；第一储物仓用于储存新SIM卡，第二储物仓用于储存旧SIM卡；自助柜柜体还设置有推送装置、入卡口和出卡口，推送装置用于将SIM卡从入卡口推送至第一储物仓或第二储物仓；还用于将SIM卡从第一储物仓或第二储物仓中推送至出卡口输出SIM卡；本发明还公开了一种SIM卡自助柜装置，包括：控制模块、通讯模块、SIM卡识别模块、身份识别模块、采集模块和执行模块；本发明通过对SIM卡序列号进行识别储存在服务器中，结合SIM卡自助柜对新卡、旧卡分类控制储存，从而对SIM卡序列号进行智能识别储存，并智能储存SIM卡，进而实现提高序列号录入效率和降低序列号录入错误率，并实现妥善储存SIM卡。

摘要： 本发明实施例公开了一种SIM卡，包括profile生成模块、SIM实体卡以及数据处理模块。其中，profile生成模块用于将SIM实体卡的第一SIM虚拟卡以及对应的数据根据ASN.1编码格式生成第一profile文件，并将将其发送至移动网络运营商服务器中；数据处理模块用于接收移动网络运营商服务器发送第二SIM虚拟卡以及对应的数据，并将第二SIM虚拟卡以及对应的数据发送至SIM实体卡，以覆盖第一SIM虚拟卡以及相应的数据，从而实现SIM虚拟卡的切换。不仅方便了用户使用，提升了用户的使用体验，还避免了资源的浪费。此外，本发明实施例还提供了相应的实现方法，所述方法具有相应的优点。

摘要： 本发明公开了一种薄膜SIM卡及基于该薄膜SIM卡的SIM卡切换方法，涉及移动通信技术领域。所述薄膜SIM卡贴合在主SIM卡(宿主卡)上，其特征在于，其管脚分别与宿主卡的管脚一一对应连接，且该薄膜卡还包括：控制模块和存储器，所述控制模块的结构依次包括底层软件、API接口及硬件处理芯片，所述硬件处理芯片实现对SIM卡供电电路的控制。所述切换方法的步骤包括：用户选择切换到宿主卡或薄膜卡；设置卡启动标识；对薄膜卡和宿主卡切断供电；重新对薄膜卡和宿主卡供电，并进行网络注册。使用本发明提供的薄膜SIM卡及切换方法，能实现一种切换SIM卡时自动重上电的功能，从而达到了如开关机或者物理插拔SIM卡一样的硬重启效果，提高了切换的成功率。

摘要： 本发明公开一种兼容MICRO SIM和NANO SIM结构的SIM卡座，卡座包括外壳、活动托盘、端子座和接线端子，接线端子固定设置在端子座内，活动托盘设置在端子座的外侧，且围绕着端子座三面设置，所述的活动托盘上设有对应于NANO SIM卡大小的第一限位边和对应于MICRO SIM卡大小的第二限位边，第二限位边设置在第一限位边外侧，且第二限位边高度比第一限位边要高，外壳罩在活动托盘外侧。发明通过特殊的结构设计，可实现无需额外的设置，即可以实现插入MICRO SIM卡和NANO SIM卡两种不同卡的卡座，即一个卡槽，可插入两种不同大小的SIM卡，兼容性强，使用方便。

摘要： 本发明公开了一种SIM卡座、SIM卡、SIM卡托及移动终端。其中SIM卡座，包括第一连接部和第二连接部；所述第一连接部设有第一弹片行和第二弹片行；所述第二连接部设有第三弹片行和第四弹片行；所述每个弹片行包括三个连接弹片；所述第一弹片行和第二弹片行相平行；所述第三弹片行和第四弹片行相平行；所述第一弹片行和所述第三弹片行相垂直。本发明所提供的SIM卡座、SIM卡、SIM卡托及移动终端，解决了现有技术中卡座只能与一中SIM卡配合使用给用户带来的诸多不便，以及避免了移动终端设计多个SIM卡座造成的增加手机的厚度，影响移动终端的美观度和便携度的问题。

摘要： 提供了用于从SIM卡或另一eSIM激活eSIM的系统、方法和计算机程序。在一个实现方式中，接收从SIM卡或另一eSIM激活eSIM的请求。另外，响应于该请求，访问与SIM卡或另一eSIM相关联的第一信息以及与eSIM相关联的第二信息。进一步，使得用于从SIM卡或另一eSIM激活eSIM的至少一个动作被执行，其中该至少一个动作是基于第一信息和第二信息。

摘要： 本发明提出了一种基于量子安全SIM卡的通信系统及方法，以及量子安全SIM卡及量子密钥服务平台，其中在现有SIM卡物理结构和逻辑架构基础上开辟文件存储空间和增加定义数据交互接口，使其能够直接为上层应用提供量子密钥以保护通信过程安全，由此提供量子安全功能且允许大容量，从而满足5G网络逐渐普及下与日俱增的安全信息通信及文件存储需求。借助密钥充注模式和通信模式配合设计，可以有效保证会话密钥及其加密密钥的新鲜度和预存安全性，确保量子安全SIM卡的数据安全。

摘要： 本实用新型提供一种用于普通SIM卡和微型SIM卡的SIM卡贴片，其中SIM卡贴片包括设置在SIM卡贴片表面的触点，触点在SIM卡贴片贴合于SIM卡的状态下，与SIM卡电接触，SIM卡贴片还包括：与触点电连接的芯片，在与SIM卡贴合的状态下，芯片所在位置的SIM卡贴片与SIM卡的表面接触。本实用新型提供的用于普通SIM卡和微型SIM卡的SIM卡贴片，在SIM卡贴片与SIM卡的贴合过程中不需对SIM卡进行裁剪，既可适用于普通SIM卡，又可用于微型SIM卡，可以使SIM卡贴片的使用更加便捷。