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D-T中子照射下含硼聚乙烯球泄漏γ能谱测量

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摘要

为了更清楚地了解含硼聚乙烯的屏蔽性能,用反冲电子法测量了D-T中子照射下的不同B4C含量的聚乙烯球的泄漏γ能谱,并用MCNP/4A程序和ENDF/B-Ⅴ库数据进行模拟计算.实验测量值和计算值在误差范围内符合得较好.

著录项

来源
《原子能科学技术》|2005年第3期|198-201|共4页
作者
郭海萍; 安力; 牟云峰; 王新华; 陈渊;
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作者单位

中国工程物理研究院,核物理与化学研究所,四川,绵阳,621900;

中国工程物理研究院,核物理与化学研究所,四川,绵阳,621900;

中国工程物理研究院,核物理与化学研究所,四川,绵阳,621900;

中国工程物理研究院,核物理与化学研究所,四川,绵阳,621900;

中国工程物理研究院,核物理与化学研究所,四川,绵阳,621900;

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正文语种 chi
中图分类中子物理;
关键词
含硼聚乙烯; 泄漏γ能谱; D-T中子; MCNP/4A程序;

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