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孙志远; 王东兴;
哈尔滨理工大学;
应用科学学院;
黑龙江;
哈尔滨;
150080;
有机静电感应晶体管; 有限元法; 电势分布; 模型仿真;
机译:溶液-铟锌-硅-氧化硅有源沟道和有机铁电栅绝缘体组成的混合栅叠层薄膜晶体管的非易失性存储特性
机译:电子束光刻技术制备的带有纳米间隙栅的有机静电感应晶体管
机译:有机静电感应晶体管栅电极的研究
机译:栅极线间距和有源层厚度的变化对有机静电感应晶体管性能的影响
机译:在模拟和混合信号电路设计中开发浮栅晶体管特性。
机译:通过在混合栅绝缘体结构中采用光响应聚合物来增强有机光电晶体管的光开关特性
机译:栅电极功函数对电解有源有机场效应晶体管中源电荷注入的影响
机译:透水基三极管,对置栅 - 源晶体管和异质结构发射弹道场效应晶体管比较电性能的数值模拟
机译:电化学晶体管器件,例如用于聚合物电池,包括有源元件,有源元件具有由有机材料制成的晶体管通道和栅电极,在栅电极上施加电压以控制电子流
机译:有机薄膜晶体管,即顶栅有机薄膜晶体管,其制造方法包括将由有机半导体材料制成的半导体层置于源极和漏极之间的中间层上
机译:作为显示装置用开关元件的有机薄膜晶体管,具有栅电极,栅绝缘层,源漏电极,有机半导体层,亲水性粘接剂层和疏水性粘接剂层。
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