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张雅玲; 阮锡超; 黄翰雄; 杨巧荣; 周斌; 马中原;
次级中子; 双微分截面; 截面测量; 工程设计; 结构材料; 反应机制; 基础数据; 检验理论;
机译:21.65±0.07 MeV中子引起的〜9Be的次级中子发射双微分截面的测量
机译:8.22 MeV中子诱发氘核的次级中子发射双微分截面的测量
机译:约9Be在5.9和6.4 MeV入射中子的次级中子的能量角分布的测量和分析
机译:连续中子发生高达100 MeV的中子入射反应的中子产生双微分截面的测量
机译:252Cf和238U + 9Be裂变碎片的富中子核研究
机译:γ旋光仪用于测量液态氘靶中的中子极化以抵消氘中子在中子俘获中的奇偶性
机译:6LI,7LI和9BE的双差分中子发射横截面为11.5meV和18.0MeV中子测量。
机译:使用9Be(d,n)10B反应作为“白色”中子源,从1.0到14 meV的9Be,10,11B和12,13C的中子总截面测量
机译:用于测量热中子和快中子的传感器设备,包括该系统的系统以及使用这些设备测量热中子和快中子的方法
机译:中子相互作用截面用于解释中子测量的方法
机译:用中子相互作用截面解释中子测量值的方法
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