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祁步嘉;
无;
机译:21.65±0.07 MeV中子引起的〜9Be的次级中子发射双微分截面的测量
机译:14.8 MeV中子引起的9Be(n,xα)反应的双微分截面测量
机译:8.22 MeV中子诱发氘核的次级中子发射双微分截面的测量
机译:连续中子发生高达100 MeV的中子入射反应的中子产生双微分截面的测量
机译:252Cf和238U + 9Be裂变碎片的富中子核研究
机译:γ旋光仪用于测量液态氘靶中的中子极化以抵消氘中子在中子俘获中的奇偶性
机译:6LI,7LI和9BE的双差分中子发射横截面为11.5meV和18.0MeV中子测量。
机译:使用9Be(d,n)10B反应作为“白色”中子源,从1.0到14 meV的9Be,10,11B和12,13C的中子总截面测量
机译:中子减速长度引起的中子热孔隙率,形成中子俘获截面的热中子和堆积密度
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