非晶硅缓冲层在具有Al2O3门绝缘子的多晶SiGeTFT中的作用

摘要

ＳｉＧｅ合金具有较高的载流子迁移率与较低的结晶温度，比Ｓｉ更适合用作薄膜晶体管（ＴＦＴ）。最近，我们已证实，利用Ａｌ２Ｏ３作多晶ＳｉＧｅＴＦＴ的门绝缘子，可使界面得到显著改善。虽然已经证明，由Ｓｉ缓冲层的高温氧化形成的ＳｉＯ２可改善界面质量，但是还不清楚在ＳｉＧｅ有源层与Ａｌ２Ｏ３门电介质之间插入一α－Ｓｉ缓冲层能否进一步提高界面的质量。在本研究中，对于有、无α－Ｓｉ缓冲层的多晶ＳｉＧｅＴＦＴ的性