机译:氢化非晶硅氧化缓冲层对改善氢化非晶硅锗单结太阳能电池性能的作用
NSTDA NECTEC Solar Energy Technol Lab STL 112 Thailand Sci Pk Amphoe Khong Luang 12120 Pathum Thani Thailand;
Hydrogenated amorphous silicon oxide layer; Buffer layer; Amorphous silicon germanium single junction solar cell;
机译:氢化非晶硅氧化缓冲层对改善氢化非晶硅锗单结太阳能电池性能的作用
机译:具有氢化本征非晶氧化硅p / i缓冲层的氢化非晶硅太阳能电池的性能改进
机译:通过H-2等离子体处理的高质量氢化本征非晶氧化硅层用作氢化非晶硅太阳能电池中的p / i缓冲层
机译:热线CVD氢化非晶硅锗作为串联和三界太阳能电池的微晶硅的替代方案
机译:沉积条件对氢化非晶硅和硅锗合金(太阳能电池,薄膜晶体管)的结构,光电和器件性能的影响。
机译:SiNx阻挡层对聚酰亚胺Ga2O3掺杂的ZnO p-i-n氢化非晶硅薄膜太阳能电池性能的影响
机译:具有p型和n型氢化氧化硅层的薄膜非晶硅锗太阳能电池
机译:晶体硅太阳能电池的氢化非晶硅发射极和背面场接触