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邓文; 汪礼胜; 刘嘉宁; 余雪玲; 陈凤翔;
武汉理工大学理学院物理科学与技术系;
武汉430070;
MoS_(2); 记忆晶体管; 忆阻器; 阻变特性;
机译:基于社区和个人的社区能力与健康行为的协变:韩国首尔人口的多层次分析
机译:事件相关电位(ERP)与工作记忆,处理速度和智商的行为非ERP度量之间的遗传协变。
机译:事件相关电位(ERP)和行为非ERP工作记忆,处理速度和智商的度量之间的遗传协变
机译:高阻和低阻CuInSe2薄膜的光学和电学性质:硫属光电薄膜晶体管的潜在光敏通道
机译:高级多晶镍基高温合金的蠕变行为和变形机理研究
机译:具有透明金属电极的多层MoS2光电晶体管的改进的光学性能
机译:高增益In2se3中的栅控光电流产生机制 光电晶体管
机译:光前波函数的协变结构与Hadronic形状因子的行为
机译:用于气体或流体的光度吸收辐射计-具有光阻,光电二极管,光电晶体管或雪崩晶体管作为接收器
机译:单独包含一个电容器和一个高度延伸的晶体管的记忆细胞阵列,形成一个多层记忆细胞的阵列的方法以及形成单独包含一个电容器和一个异常的记忆细胞阵列的方法
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