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于遥; 张晶思; 陈黛黛; 郭睿倩; 谷至华;
平板显示中心 上海200433;
非晶硅薄膜晶体管; 电子迁移率; 欧姆接触层; 栅极绝缘层;
机译:薄膜太阳能电池本征氢化非晶硅的沉积-通过RF-PECVD静态生长和通过VHF-PECVD动态生长的层的比较研究
机译:在薄膜太阳能电池应用中的氢化非晶硅膜上利用电子温度在VHF-PECVD中使用结构温度进行研究
机译:PECVD沉积沉积氢化非晶硅硬掩墩膜的等离子体功率的影响
机译:TFTS 80℃下氮化硅和氢化非晶硅的ECR-PECVD
机译:PECVD氢化非晶硅膜和HWCVD氢化非晶硅膜的质子NMR研究。
机译:用于性能提高的表面电磁波生物传感器的氢化非晶硅氮化硅光子晶体
机译:氢化非晶硅中的空穴迁移率限制原子结构
机译:富含缺陷外延对晶体硅/非晶硅异质结太阳能电池的影响及低迁移率层用于提高性能。
机译:包括具有可变掺杂接触层系统的TFT的固态成像器,用于减少TFT泄漏电流并提高迁移率
机译:PECVD SiO2钝化IGZO和ZNO TFT的PECVD SiO2 IGZO ZNO TFT方法
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