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沈鸿烈; 杨根庆; 周祖尧; 邹世昌;
不详;
磷化铟; 离子注入; 硅; 双性行为;
机译:硅离子注入并退火的半绝缘磷化铟中锰的表面累积
机译:通过低能双离子注入重新嵌入磷化铟中的镍离子的重新分布
机译:双离子注入合成的绝缘体上硅(SOI)器件的结构和表面改性研究
机译:硅中双离子注入合成的氧氮化硅层的结构和电特性及其退火行为研究
机译:离子注入对高fmax双异质结双极晶体管磷化铟和砷化镓砷的影响
机译:在硅蛋白的初级分子赋形剂的硅研究中的研究中的硅研究与p-糖蛋白的结构动力学
机译:硅中双原子和单原子离子注入引起的损伤的比较研究
机译:双离子注入技术在硅中形成浅p(+)/ n结
机译:在硅层/硅锗层/硅层的层积结构中仅用离子注入法选择性地形成硅锗层的方法,而无需在顶层和底部层中形成图案,仅选择性地形成硅锗层
机译:用于监测多晶磷化铟合成装置中的气氛的方法以及设计用于监测用于多晶磷化铟合成装置中的气氛的系统
机译:含硅掺杂剂组合物,其用于改善离子束电流和在硅离子注入系统中的性能以及使用该组合物的方法
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