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沈文忠; 唐文国; 常勇; 李自元; 沈学础;
无;
机译:调制掺杂Cd1-xMnxTe:In / CdTe应变层多量子阱的结构研究
机译:无杂质空位扩散对In0.53Ga0.47As / In0.52Al0.48As多量子阱电吸收调制器结构的光学和光电性能的影响
机译:具有GaN-AlGaN调制掺杂应变层超晶格的InGaN多量子阱结构激光二极管
机译:应变补偿调制掺杂InGaAs-GaAsP-InGaP多量子阱激光器的高速调制
机译:InAsP / GaInP应变补偿多量子阱及其光调制器应用。
机译:退火生长的n型和p型调制掺杂GaInNAs / GaAs应变量子阱结构的磁输运研究
机译:n型调制掺杂势垒和线性梯度成分GaInAsP中间层对1.3μmAlGaInAs / AlGaInAs应变补偿多量子阱激光二极管的影响
机译:分子束外延生长的高电流晶格应变In0.59Ga0.41as / In0.52al0.48as调制掺杂场效应晶体管
机译:校准多层半导体结构中至少两层δ掺杂包含的掺杂水平并在半导体结构中以及多层和多量子阱中生成半导体多层结构的方法
机译:应变多量子阱结构应变的测量方法及结构的制造
机译:在SnySizGe1-y-z缓冲硅上生长的应变工程直缝式Ge / SnxGe1-x异质二极管和多量子阱光电探测器,激光器,发射器和调制器
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