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张兴宏; 胡雨生; 吴杰; 程知群; 夏冠群; 徐元森; 陈张海; 桂永胜; 褚君浩;
中国科学院上海冶金研究所;
中国科学院红外物理国家重点实验室;
砷化镓; 铝镓铟磷; 深能级; 异质结; 晶体管;
机译:使用AlGaInP / GaAs / GaInP的双异质结双极晶体管
机译:表面处理对AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管电性能的影响
机译:退火对氢浓度和InGap / In GaAsN / GaAs异质结双极晶体管性能的影响
机译:发射极-基极异质结处载流子复合对GaInP / GaAs和AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管性能的影响
机译:分析和建模有助于AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管可靠性的物理机制。
机译:深能级陷阱及其对InP / InGaAs异质结构电流特性影响的研究
机译:发射极掺杂对alGaas / Gaas异质结双极晶体管延迟时间影响的模拟
机译:渐变层和隧道效应对alGaas / Gaas异质结双极晶体管性能的影响
机译:具有(In)(Al)GaAsSb / InGaAs基极-集电极结构的异质结双极晶体管
机译:AlGaAs或InGaP低导通电压GaAs基异质结双极晶体管
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