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代月花; 陈军宁; 柯导明; 孙家讹; 胡媛;
安徽大学电子科学与技术学院,合肥,230039;
玻尔兹曼方程; 纳米MOSFET; 迁移率; 沟道有效电场;
机译:弹道圆柱围栅纳米线MOSFET的准解析模型
机译:纳米MOSFET中随机掺杂波动引起的截止频率变异性保留相关性的解析模型。
机译:具有背栅控制的纳米超薄体和埋入氧化物SOI MOSFET的阈值电压和界面理想因子的解析模型
机译:纳米MOSFET在表观迁移率降低的影响对纳米MOSFET的影响
机译:隧道场效应晶体管的解析模型和GaN高电子迁移率晶体管的实验研究。
机译:具有非晶硅钝化的高迁移率Ge pMOSFET:表面取向的影响
机译:接入电阻对纳米mOsFET表观迁移率降低的影响
机译:环绕式纳米线mOsFET的沟道传导中的迁移率和横向电场效应
机译:纳米材料中电子迁移率的电测量装置,纳米材料中空穴的电率测量装置,纳米材料中电子迁移率的电沉积率测量以及纳米材料中的电沉积率测量方法
机译:解析模型创建支持系统,解析模型创建支持设备和解析模型创建支持程序
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