半导体量子阱中电子自旋弛豫和动量弛豫

摘要

根据电子自旋轨道耦合对自旋极化弛豫影响的DP机理进一步导出了半导体中电子自旋弛豫与动量弛豫及载流子浓度的关系,并采用飞秒抽运探测技术在室温下测量AlGaAs/GaAs多量子阱中载流子浓度在1×1017-1×1018 cm-3范围内,电子自旋弛豫时间由58ps增加至82 ps的变化情况,与理论计算值符合,说明了随着载流子浓度的增加,载流子间的频繁散射加速了电子动量驰豫,减弱了电子自旋轨道耦合作用,从而延长了电子自旋寿命.