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李志华; 王文新; 刘林生; 蒋中伟; 高汉超; 周均铭;
中国科学院物理研究所,北京,100080;
分子束外延; 生长中断; 超晶格; 掠入射X射线反射;
机译:AlSb和InAs-GaSb层厚度对InAs / AlSb / GaSb II型超晶格中HH-LH分裂和带隙能的影响
机译:界面局部化对AlSb / InAs超晶格红外探测器中弹性散射的影响-艺术。没有。 155303
机译:AlSb / InAs界面生长中断对原子形态和电子传输性能的影响
机译:InAs / GaAs短周期应变层超晶格的分子束外延生长。
机译:具有可控AsxSb1-x界面的InAs / GaSb II型超晶格的金属有机化学气相沉积生长
机译:AlSb和InAs / AlSb超晶格势垒的弹道电子发射显微镜研究
机译:通过金属有机化学气相沉积生长Inas(1-x)sb(x)/ Inas应变层超晶格
机译:InAs / GaSb / AlSb半导体结构的超晶格制造
机译:用于InAs / GaSb / AlSb半导体结构的超晶格的生产
机译:INAS / GASB / ALSB半导体结构的超晶格制造
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