对以并五苯和酞菁铜为不同有源层的有机薄膜晶体管特性研究

摘要

通过扫描电镜和X射线衍射对SiO2衬底上生长并五苯和酞菁铜薄膜的表面形貌进行表征,并得到在SiO2衬底上生长的并五苯薄膜是以岛状结构生长,其大小约为100nm,且薄膜有较好的结晶取向,呈多晶态存在.酞菁铜薄膜则没有表现出明显的生长机理,其呈非晶态存在.还对通过掩膜的方法制作得以酞菁铜和并五苯为有源层的顶栅极有机薄膜晶体管的特性进行了研究.有源层的厚度为40 nm,绝缘层SiO2的厚度为250 nm,器件的沟道宽长比(W/L)为20.通过Keithley 2410 I-V测量仪对OTFTs器件的电学性质进行表征,其器件的开关电流比(on/off)分别为105和104,阈值电压VTH分别为-20 V和-15 V,器件的场效应载流子迁移率μEF分别为0.0694 cm2/V·s和1.201cm2/V·s.