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田玉明; 王凯悦; 李志宏; 朱玉梅; 柴跃生; 曾雨顺; 王强;
太原科技大学材料科学与工程学院;
太原030024;
天津大学材料科学与工程学院;
先进结构陶瓷与加工技术教育部重点实验室;
天津300072;
金刚石; 点缺陷; 电荷状态;
机译:电子照射后低氮金刚石中氮空位中心的可调节电荷状态及随后的退火
机译:缺陷水平对各种类型的人造金刚石探测器对高能放射线照射的剂量率依赖性的影响
机译:掺杂铜的金刚石:电荷状态和缺陷聚集对3d过渡金属掺杂宽带隙半导体中自旋相互作用的影响
机译:在高能量电子照射或离子植入的4H和6H-碳化碳中的内在相关缺陷中心的形成和湮灭
机译:电荷运输和辐射诱导单晶CVD金刚石中的缺陷
机译:电子转移解离:阳离子电荷状态对离子/离子电子转移中的产物分配的影响以乘以质子化多肽
机译:用高能电子照射后CZ-Si单晶中缺陷的显性型缺陷的测定
机译:电化学阻抗评价和激光照射对含硅类金刚石碳涂层电子结构的影响
机译:在半导体部件生产中修复光刻掩模上的光影响结构的缺陷的方法包括在缺陷区域中照射镓离子以注入到掩模衬底中
机译:半导体设备的可变形状光束的孔径,即使长时间暴露在高能电子束中,也可以防止热变化,颗粒污染和X射线照射
机译:固态影响电荷载体自旋状态的方法,特别是在半导体的量子结构中
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