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蒋先伟; 代广珍; 鲁世斌; 汪家余; 代月花; 陈军宁;
安徽大学电子信息工程学院安徽省集成电路设计重点实验室;
合肥230601;
合肥师范学院电子信息工程学院;
合肥230061;
电荷俘获存储器; 共存缺陷体; 氧空位; 第一性原理;
机译:电荷俘获存储设备中HfO_2 / Al_2O_3界面处界面氟化的第一性原理研究
机译:金掺杂在基于HfO_2的RRAM中的作用的第一性原理研究
机译:钛和铈掺杂的HfO_2中增强介电响应的第一性原理研究
机译:Si掺杂Ti3Al1-xSixC2固溶体的电子结构和弹性性质的第一性原理研究
机译:石墨烯和碳纳米管的功能化和取代掺杂的第一性原理研究。
机译:石墨烯插层对HfO2介电可靠性的影响以及Ni / Gr / c-HfO2界面有效功函数的调制:第一性原理研究
机译:al掺杂的ZnO单层膜作为有希望的透明电极材料:第一性原理研究
机译:al sub x Ga sub 1-x作为缓冲层对调制掺杂场效应晶体管性能的影响
机译:电荷俘获层,形成电荷俘获层的方法,使用该电荷俘获层的非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法
机译:用第8族过渡金属浅电子俘获掺杂剂,硒掺杂剂和镓掺杂剂以及掺杂的卤化银乳剂掺杂卤化银乳剂晶粒的方法
机译:集成电路中FSG(F掺杂SiO2)介电层和铝铜TiN层多层结构可靠性的提高方法
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