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反馈型介质腔稳GaAs FET振荡器

         

摘要

本文给出反馈型介质腔稳GaAs FET振荡器较严格的分析模型。导出振荡条件下FET的S参数与反馈电路参数间的关系式、振荡频率以及频率温度稳定度等的关系式。依此研制成两种X波段DRO,均获得良好的频率—温度特性。

著录项

  • 来源
    《电子学报》 |1988年第4期|59-63|共5页
  • 作者

    顾墨琳;

  • 作者单位

    南京电子技术研究所;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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