The University of Wisconsin - Milwaukee.;
机译:使用UHVCVD沉积拉伸应变Si_(1-y)C_y合金层评估异质结MOSFET
机译:加速功率循环条件下SiC-MOSFET模块的在线焊料层劣化测量
机译:正向偏置条件下单焊锡空隙和多焊锡空隙对低压Si MOSFET行为的电热评估
机译:使用单层和双层2-D过渡金属二卤化金属(TMD)MOSFET的5.9nm节点的基于晶体管的电路的性能评估
机译:用于高压碳化硅电源MOSFET的门控方法
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:单次焊接对低压SI MOSFET行为的单次和多重焊料效应的电热评估