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【6h】

环形硅通孔的缺陷类型与位置判断方法研究

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目录

第一章 绪论

1.1 研究背景及意义

1.2 研究现状

1.3 论文主要工作与结构安排

第二章 基于时域特性的环形硅通孔缺陷与定位研究

2.1 引言

2.2 环形硅通孔结构

2.3缺陷类型判断

2.4缺陷位置判断

2.5 本章小结

第三章 基于差分信号的环形硅通孔缺陷与定位研究

3.1 引言

3.2 环形硅通孔结构

3.3缺陷类型判断

3.4 缺陷位置判断

3.5 差分信号与单端信号的比较

3.6本章小结

第四章 环形硅通孔缺陷的等效电路模型

4.1 引言

4.2 环形硅通孔结构

4.3 等效电路模型的建立

4.4 开路/短缺陷等效电路建立

4.5 模型结果验证

4.6 缺陷类型分析

4.7 本章小结

第五章 总结与展望

参考文献

攻读硕士学位期间取得的研究成果及参与的科研项目

致谢

个人简况与联系方式

声明

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著录项

  • 作者

    李豆;

  • 作者单位

    山西大学;

  • 授予单位 山西大学;
  • 学科 电子与通信工程
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 苏晋荣;
  • 年度 2021
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 U17TU4;
  • 关键词

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