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雷伟; 杨福全; 郭德洲;
兰州空间技术物理研究所 真空技术与物理重点实验室 兰州 730000;
钼栅极; 栅间距; 真空度; 真空击穿;
机译:用kMC TDDB模拟研究TiN覆盖层对超薄EOT高k金属栅极NMOSFET随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:严重的栅极到通道介电击穿后,高级n-MOSFET的输出特性建模
机译:具有HfLaO和HfZrLaO超薄栅极电介质的金属氧化物半导体电容器的时间相关介电击穿(TDDB)特性
机译:无固定端条件下仿形玻璃/碳混合复合梁模态特性试验研究
机译:束流等离子体系统中的无碰撞松弛。
机译:AFM纳米光刻制造的p型双栅极和单栅极无结累积晶体管的电性能比较和电荷传输
机译:具有钼栅极的超薄体p-mOsFET的低频噪声特性
机译:应急堆芯冷却剂注入条件下小杆束流动限制影响的试验研究
机译:栅极焊盘和栅极馈电击穿电压增强
机译:用来保持二极管特性的电击穿线的装置,特别是用于气体或金属的电击穿线
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