熔石英元件CMP加工表面缺陷去除方法研究

目录

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第 1章绪论

1.1 课题的来源

1.2 课题的研究背景及目的和意义

1.3 化学机械抛光材料去除机理的研究现状

1.4 光学元件表面缺陷对激光损伤影响的研究现状

1.5 CMP表面缺陷去除方法的研究现状

1.6 本课题的主要研究内容

第 2章光学元件 CMP 材料去除模型的建立及实验研究

2.1 引言

2.2 光学元件 CMP材料去除理论和模型简介

2.2.1 CMP 材料去除基本理论

2.2.2 CMP 材料去除模型简介

2.3 CMP材料去除模型的建立

2.3.1磨粒压入工件表面的深度

2.3.2工件与抛光垫的接触面积

2.3.3参与材料去除的有效磨粒数量

2.3.4材料去除模型的建立

2.3.5模型的验证与分析

2.4 机械作用和化学作用对 CMP材料去除的影响

2.4.1 CMP 化学作用和机械作用关系的分析

2.4.2机械作用和化学作用关系的实验研究

2.5 本章小结

第 3章表面缺陷对元件激光损伤影响的仿真研究

3.1 引言

3.2 熔石英元件 CMP实验研究

3.2.1抛光液成分对表面缺陷的影响

3.2.2元件CMP抛光后表面的缺陷类型

3.2.3表面缺陷的形成机理

3.3 光学元件在强激光系统中的损伤分析

3.3.1激光诱导光学元件损伤的机制

3.3.2元件缺陷诱导的热致损伤

3.3.3元件缺陷对入射激光的电场调制

3.4 光学元件激光损伤仿真模型的建立

3.4.1温度场仿真模型的建立

3.4.2电场调制仿真模型的建立

3.5 划痕和凹坑对元件温度和电场调制的影响

3.5.1划痕对元件温度影响的仿真研究

3.5.2凹坑对元件温度影响的仿真研究

3.5.3划痕对元件电场调制影响的仿真研究

3.5.4凹坑对元件电场调制影响的仿真研究

3.5.5不同缺陷对元件激光损伤的影响程度对比

3.6 本章小结

第 4章 CMP 抛光液成分优化及缺陷去除方法研究

4.1 引言

4.2 抛光液成分对工件表面质量的影响

4.2.1磨粒对抛光表面质量的影响

4.2.2抛光液表面分散剂对抛光表面质量的影响

4.2.3抛光液pH对工件抛光表面质量的影响

4.3 优化后的 CMP抛光液抛光质量评价

4.4 光学元件 CMP加工表面缺陷的去除方法

4.4.1抛光液中大磨粒产生缺陷的去除方法

4.4.2基于复合磨粒的表面缺陷去除方法

4.5 本章小结

结 论

参考文献

声明

致 谢