氧化物异质结中界面相变诱导的阻变特性研究

目录

第1 章 绪 论

1.1 课题背景及研究的目的和意义

1.2 铁电阻变存储器

1.2.1 铁电材料与铁电薄膜

1.2.2 铁电阻变存储器的微观机理

1.2.3 铁电阻变存储器的基本结构

1.2.4 铁电阻变存储器的研究进展

1.3.1 La1-xSrxMnO3的研究进展

1.3.2 LaMnO3的研究进展

1.3.3 铁电材料/锰氧化物异质结

1.4 本文的主要研究内容和论文结构

第2 章实验材料与测试方法

2.1.1 实验材料

2.1.2 实验设备

2.2 脉冲激光沉积原理与工艺

2.2.1 脉冲激光沉积原理

2.2.2 薄膜的结构设计

2.2.3 脉冲激光沉积工艺

2.3 磁控溅射技术

2.4 薄膜形貌与结构的表征方法

2.4.1 形貌表征

2.4.2 结构表征

2.5 器件制备与测量

2.5.1 微纳加工

2.5.2 异质结铁电特性的测试

2.5.3 异质结阻变特性的测试

第3 章氧化物薄膜制备及性能分析

3.1 引言

3.2.1 不同比例的La1-xSrxMnO3薄膜的制备

3.2.2 不同比例的La1-xSrxMnO3薄膜的形貌表征

3.2.3 不同比例的La1-xSrxMnO3薄膜的结构表征

3.3 生长温度对Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜性能的影响

3.3.1 不同生长温度下Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜的形貌表征

3.3.2 不同生长温度下Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜的结构表征

3.4 Pb(Zr0.2Ti0.8)O3厚度的变化对异质结性能的影响

3.4.1 不同铁电层厚度下异质结的形貌表征

3.4.2 不同铁电层厚度下异质结的结构表征

3.4.3 不同铁电层厚度下异质结的铁电性能表征

3.4.4 不同铁电层厚度下异质结的阻变性能表征

3.5 本章小结

第4 章界面效应对异质结阻变性能的调控

4.1 引言

4.2 Pb(Zr0.2Ti0.8)O3铁电层对 La0.7Sr0.3MnO3相变的影响

4.3.1 四种不同比例的 La1-xSrxMnO3下的异质结的制备

4.3.2 四种不同比例的 La1-xSrxMnO3下的异质结的形貌表征

4.3.3 四种不同比例的 La1-xSrxMnO3下的异质结的结构表征

4.4 不同比例的La1-xSrxMnO3下的异质结的铁电性能表征

4.5 不同比例的La1-xSrxMnO3下的异质结的阻变性能表征

4.5.1 基本阻变特性分析

4.5.2 异质结的可靠性测试

4.6 本章小结

结 论

参考文献

声明

致谢