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陈远东;
哈尔滨工业大学;
单晶硅; 四甲基氢氧化铵; 溶液; 蚀刻;
机译:在表面活性剂改性的四甲基氢氧化铵溶液中,在接近沸腾温度的情况下,在光滑的表面上进行快速Si(100)蚀刻
机译:化学预处理对四甲基氢氧化铵溶液中p(100)Si蚀刻工艺的影响
机译:四甲基氢氧化铵溶液中n型多孔硅层的腐蚀行为研究
机译:四甲基氢氧化铵溶液中铜的电化学行为
机译:I.分光光度法研究二甲基亚砜中的聚合物。二。钼(VI),(V),(IV)和(III)配合物的电化学和分光光度法研究。三,四乙基氢氧化铵在二甲基亚砜中的电化学氧化。
机译:活性很强的微生物群落的选择用于水溶液中的四甲基氢氧化铵和光致抗蚀剂的联合处理
机译:四甲基氢氧化铵/异丙醇湿蚀刻对aFm光刻制备的硅纳米线几何形状和表面粗糙度的影响
机译:用于红外像素阵列的四甲基氢氧化铵(TmaH)优先蚀刻
机译:高纯度,环境清洁的方法和设备,用于通过氢氧化铵水溶液上方的氨气超压对单晶硅进行高速率,各向异性液体蚀刻或对多晶硅进行蚀刻
机译:以预测单晶硅中产生的氧沉积行为的单晶硅中的氧沉淀行为预测方式,以单晶硅中的氧沉淀行为预测方式预测氧沉积行为
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