声明
摘要
第一章 绪论
第二章 文献综述
2.1 非易失性存储器的研究现状
2.1.1 铁电存储器
2.1.2 磁阻存储器
2.1.3 相变存储器
2.1.4 阻变存储器
2.1.5 不同非易失性存储技术性能比较
2.2 阻变存储器和电阻开关特性
2.2.1 电阻开关特性分类
2.2.2 阻变存储器阻变机理
2.2.3 阻变存储器关键性能参数
2.2.4 阻变存储器材料及研究现状
2.2.5 阻变存储器的制备方法
2.3 原子层沉积技术和等离子体增强原子层沉积技术
2.3.1 原子层沉积和等离子体增强原子层沉积技术特点
2.3.2 原子层沉积技术在ReRAM领域的应用
2.4 立题依据与主要研究内容
2.4.1 立题依据
2.4.2 主要研究内容
第三章 实验过程及测试方法
3.1 器件制备设备简介
3.1.1 原子层沉积系统
3.1.2 高真空复合镀膜系统
3.2 器件制备流程
3.2.1 衬底选择和清洗
3.2.2 底电极制备
3.2.3 阻变介质层材料制备
3.2.4 顶电极制备
3.3 测试及表征方法
3.3.1 材料测试和表征
3.3.2 器件测试和表征
第四章 ALD制备ZnO薄膜及基本性能研究
4.1 引言
4.2 Thermal ALD制备ZnO薄膜
4.2.1 Thermal ALD-ZnO薄膜制备过程研究
4.2.2 DEZn注入时间对Thermal ALD-ZnO薄膜生长速率的影响
4.2.3 衬底温度对Thermal ALD-ZnO薄膜生长速率的影响
4.3 PEALD制备ZnO薄膜
4.3.1 PEALD-ZnO薄膜制备过程研究
4.3.2 衬底温度对PEALD-ZnO薄膜生长速率的影响
4.4 Thermal ALD-ZnO薄膜的结构和性能
4.4.1 Thermal ALD-ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌
4.4.2 Thermal ALD-ZnO薄膜的电学和光学性能
4.5 PEALD-ZnO薄膜的结构和性能
4.5.1 PEALD-ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌
4.5.2 PEALD-ZnO薄膜的电学和光学性能
4.5 本章小结
第五章 PEALD-ZnO基阻变存储器电阻开关特性研究
5.1 引言
5.2 Al/ZnO/Pt器件的制备
5.3 不同Al/ZnO/Pt器件I-V特性分析
5.4 Al/PEALD-ZnO/Pt阻变存储器电阻开关特性研究
5.5 Al/PEALD-ZnO/Pt阻变存储器阻变机理分析
5.6 ZnO薄膜厚度对阻变存储器性能的影响
5.7 本章小结
第六章 氧等离子体处理对ZnO基阻变存储器电阻开关特性的影响
6.1 引言
6.2 氧等离子体处理工艺
6.2.1 原位氧等离子体处理工艺
6.2.2 非原位氧等离子体处理工艺
6.2.3 氧等离子体处理对ZnO表面粗糙度的影响
6.3 氧等离子体对Al/ZnO/Pt器件电阻开关特性的影响
6.4 氧等离子体缺陷调控与器件电阻开关特性研究
6.5 本章小结
第七章 PEALD制备AlN薄膜及其电阻开关特性研究
7.1 引言
7.2 PEALD-AlN薄膜制备和性能研究
7.2.1 PEALD制备AlN薄膜
7.2.2 PEALD-AlN薄膜的晶体结构和化学组成
7.3 Cu/PELAD-AlN/Pt阻变存储器电阻开关特性研究
7.4 Cu/PELAD-AlN/Pt阻变存储器阻变机理分析
7.5 AlN基Cross-bar器件阵列的制备及其电阻开关特性研究
7.5.1 Cross-bar器件阵列的制备
7.5.2 Cross-bar器件阵列的电阻开关特性
7.6 本章小结
第八章 原子层掺杂对AlN基阻变存储器电阻开关特性的影响
8.1 引言
8.2 Cu/PEALD-AlN/Pt器件电激活过程分析
8.3 原子层掺杂工艺
8.3.1 PEALD制备单原子层TiOxNy
8.3.2 PEALD制备AlN:Ti薄膜
8.4 原子层掺杂对Cu/AlN/Pt电阻开关特性的影响
8.5 Cu/AlN:Ti/Pt器件阻变机理分析
8.6 本章小结
第九章 全文总结
参考文献
致谢
个人简历
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果