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目录
第一章 绪论
1.1 CMOS图像传感器及其优势
1.2 CIS的发展历程
1.3小尺寸背照式CIS发展动态分析
1.4课题背景与目标
1.5本文结构
第二章 背照式CIS像素单元
2.1 背照式CIS-4T像素基本结构
2.2 背照式CIS像素单元的工作原理
2.3 评价CIS的关键参数
2.4 本章小结
第三章 背照式小尺寸CIS满阱容量与量子效率优化
3.1 传统提升像素满阱容量的方法
3.2 新PPD结构的设计
3.4 新PPD结构引入的问题及其解决方法
3.5 本章小结
第四章 背照式CIS电学串扰抑制
4.1 背照式像素中电学串扰的产生机制
4.2 传统解决方案
4.3 基于背面沟槽隔离的BTI防串扰模型
4.4 仿真
4.6 本章小结
第五章 优化后新像素的工艺实现流程
5.1 像素器件层背面结构的生成
5.2 像素器件层正面结构的生成
5.3 本章小结
第六章 总结与展望
6.1 总结
6.2 工作展望
参考文献
发表论文和参加科研情况说明
致谢
天津大学;