摘要
Abstract
第一章 绪论
1.1 概述
1.1.1 功率MOSFET的发展历史
1.1.2 功率MOSFET器件的特点
1.2 本文的研究任务
第二章 沟槽功率MOSFET制造工艺和器件参数
2.1 沟槽功率MOSFET制造工艺流程
2.2 沟槽功率MOSFET器件中的栅极工艺及生产设备
2.2.1 栅极氧化工艺介绍
2.2.2 多晶硅栅极淀积工艺
2.2.3 多晶硅栅极掺杂工艺
2.2.4 栅极氧化和多晶硅栅极淀积设备
2.3 沟槽功率MOSFET器件的重要参数
2.4 小结
第三章 沟槽功率MOSFET栅氧化工艺优化
3.1 牺牲氧化温度对器件电性参数的优化
3.1.1 实验设计
3.1.2 实验结果分析
3.2 牺牲氧化层厚度对器件电性参数的优化
3.2.1 实验设计
3.2.2 实验结果分析
3.3 牺牲氧化工艺对沟槽MOSFET栅极可靠性的优化
3.3.1 沟槽MOSFET栅极多晶硅空洞问题
3.3.2 牺牲氧化工艺优化实验设计
3.3.3 实验结果与分析
3.4 小结
第四章 沟槽功率MOSFET多晶硅栅工艺应用及优化
4.1 沟槽MOSFET多晶硅淀积温度优化
4.1.1 沟槽MOSFET多晶硅的刻蚀残留问题
4.1.2 淀积温度优化实验设计
4.1.3 实验结果与分析
4.2 沟槽MOSFET多晶硅掺杂工艺优化
4.2.1 多晶硅掺杂优化实验设计
4.2.2 实验结果与分析
4.3 分裂栅沟槽MOSFET和栅漏电荷Q_(gd)的优化
4.3.1 沟槽MOSFET栅漏电容优化
4.3.2 分裂栅沟槽MOSFET器件结构
4.3.3 栅漏电荷Q_(gd)优化实验设计
4.3.4 实验结果与分析
4.4 小结
第五章 结论
参考文献
致谢
