机译:具有InP覆盖层的自对准栅极优先In_(0.7)Ga_(0.3)As n-MOSFET,以增强性能
机译:使用CVD $ hbox {HfO} _ {2} $栅极介电和Si表面钝化的自对准栅优先Ge p和n沟道MOSFET的特性
机译:使用CVD $ hbox {HfO} _ {2} $栅极介电和Si表面钝化的自对准栅优先Ge p和n沟道MOSFET的特性
机译:等离子体PH_3钝化的高迁移率反转InGaAs MOSFET,由自对准栅极 - 第一工艺和HFO_2 / TAN栅极堆叠制成
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:使用双层门绝缘子在GaN-on-Si垂直沟槽MOSFET中:对性能和可靠性的影响
机译:栅极长度变化对栅极优先自对准In0.53Ga0.47As MOSFET的性能的影响
机译:采用氮化物氧化物的金属栅极自对准mOsFET