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声明
1绪论
1.1 SiCGe薄膜概述
1.1.1 SiCGe三元合金薄膜的生长方法
1.1.2 Si上SiCGe外延薄膜
1.1.3 SiC上SiCGe外延薄膜
1.2 3C-SiC薄膜概述
1.3本论文的研究目的和内容
2设备、工艺及生长机理分析
2.1热壁CVD生长设备
2.1.1供气系统
2.1.2反应室及加热装置
2.1.3真空机组及真空检测系统
2.1.4水循环系统
2.1.5温度控制系统
2.1.6尾气处理系统
2.2 SiC衬底上3C-SiC及SiCGe薄膜的生长工艺
2.3薄膜的生长的物理过程研究
2.3.1薄膜表面形核与生长
2.3.2异质外延薄膜生长三种模式
2.3.3 SiCGe薄膜生长的基本物化过程
3 3C-SiC薄膜生长与工艺条件优化
3.1 缓冲层对SiCGe质量的影响
3.1.1 3C-SiC缓冲层概述
3.1.2 3C-SiC缓冲层对SiCGe薄膜质量的影响
3.2 3C-SiC薄膜质量与生长温度的关系
3.3 3C-SiC薄膜质量与源气体流量的关系
3.4优化工艺条件后的3C-SiC薄膜
3.4.1 3C-SiC薄膜的表面形貌分析
3.4.2 3C-SiC薄膜的剖面形貌和晶体结构分析
3.4.3 3C-SiC薄膜的XPS分析
3.5小结
4 SiCGe薄膜生长及分析
4.1生长温度对SiCGe薄膜的影响
4.1.1不同温度下样品的SEM测试
4.1.2不同温度下样品的TEM测试
4.2源气体流量对SiCGe薄膜的影响
4.3优化工艺后的SiCGe薄膜
4.3.1 SiCGe的表面形貌
4.3.2 SiCGe的组份分析
4.4 SiCGe的光吸收特性和光能隙
4.4.1薄膜光能隙测试原理简介
4.4.2薄膜光能隙测试结果
4.5小结
5结论
对今后工作的一些设想
致谢
参考文献
在校学习期间科研业绩