原创性声明及关于学位论文使用授权的声明
摘要
引言
1课题的提出
2课题研究的主要内容及关键技术
第一章集成电路虚拟制造技术
1.1新一代纳米级工艺仿真工具-Sentaurus Process
1.2新一代纳米级器件物理特性仿真工具—Sentaurus Device
1.3集成电路虚拟制造技术
1.3.1新一代纳米级TCAD设计平台—Sentaurus Workbench
1.3.2 Sentaurus WorkBench的优化机制
第二章纳米级NMOS器件的设计考虑
2.1小尺寸NMOS器件的阈值电压模型
2.1.1长宽沟MOS器件的阈值电压模型
2.1.2短沟MOS器件的阈值电压模型
2.2穿通效应
2.3热载流子效应
第三章纳米MOS器件结构设计
3.1纵向沟道掺杂工程
3.2源漏延伸区结构
3.3晕环(Halo)结构
3.4器件隔离
3.5栅工程
3.6纳米NMOS的器件结构
第四章纳米NMOS工艺参数对器件特性的影响分析
4.1短沟道效应分析
4.1.1阈值电压、DIBL和栅长的关系
4.1.2关态电流和栅长的关系
4.1.3亚阈值斜率和栅长的关系
4.1.4器件跨导和栅长的关系
4.1.5栅长和器件输出曲线的关系
4.2阈值电压的影响因素分析
4.2.1沟道注入对阈值电压的影响
4.2.2阈值电压的优化设计
4.3穿通效应的影响因素分析
4.3.1提高源漏穿通电压的工艺方案研究
4.3.2抑穿通注入的实验分析
4.4源漏延伸区结构对器件特性的影响
4.4.1 n-区掺杂浓度对器件特性的影响
4.4.2 n-区注入深度对器件特性的影响
4.5 Halo结构对器件特性的影响
4.5.1 Halo注入剂量对器件性能的影响
4.5.2 Halo注入能量对器件性能的影响
4.5.3 Halo注入角度对器件性能的影响
4.6纳米NMOS的工艺制程
第五章纳米NMOS器件的可制造性设计
5.1工艺仿真
5.2器件物理特性仿真
5.3可制造性设计
5.3.1控制因素和响应的选择
5.3.2实验设计与运行
5.3.3可制造性设计
结束语
参考文献
致谢
攻读硕士研究生期间所发表的学术论文