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Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008
Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008
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1.
Extractive method of threshold voltage distribution in floating gate NAND flash memory by using the charge pumping technique
机译:
利用电荷泵技术提取浮栅NAND闪存中阈值电压分布的方法
作者:
Sung-Ho Bae
;
Hyuck-In Kwon
;
Jung-Ryul Ahn
;
Jae-Chul Om
;
Jong-Ho Lee
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
2.
Vertical double-gate structure with nonvolatile charge storage node for 1T-DRAM cell device
机译:
用于1T-DRAM单元设备的具有非易失性电荷存储节点的垂直双栅结构
作者:
Min-Kyu Jeong
;
Ki-Heung Park
;
Hyuck-In Kwon
;
Sung-Ho Kong
;
Jong-Ho Lee
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
3.
Memory characteristics improvement encouraged by the shape of narrow drain in cone SONOS memory structure
机译:
锥形SONOS存储器结构中的窄漏极形状促进了存储器特性的改善
作者:
Gil Sung Lee
;
Il Han Park
;
Seongjae Cho
;
Jang-Gn Yun
;
Jung Hoon Lee
;
Dong Hua Li
;
Doo Hyun Kim
;
Yoon Kim
;
Se Hwan Park
;
Won Bo Sim
;
Jong Duk Lee
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
4.
4-bit/cell charge trapping flash device for high density formed in recess region
机译:
在凹区中形成用于高密度的4位/单元电荷捕获闪存设备
作者:
Kyoung-Rok Han
;
Ki-Heung Park
;
Hyuck-In Kwon
;
Jong-Ho Lee
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
5.
Flash memory device characteristics of atomic layer deposited crystallite Al
2
O
3
films with large memory window and long retention
机译:
原子层沉积的Al
2 inf> O
3 inf>晶体层的闪存器件特性,具有较大的存储窗口和较长的保留时间
作者:
Maikap S.
;
Banerjee W.
;
Rahaman S.Z.
;
Das A.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
6.
Locally-separated vertical channel SONOS flash memory (LSVC SONOS) for multi-storage and multi-level operation
机译:
本地分隔的垂直通道SONOS闪存(LSVC SONOS),用于多存储和多级操作
作者:
Yoon Kim
;
Jang-Gn Yun
;
Il Han Park
;
Seongjae Cho
;
Jung Hoon Lee
;
Se-Hwan Park
;
Dong Hua Lee
;
Doo-Hyun Kim
;
Gil Sung Lee
;
Won Bo Sim
;
Jong-Duk Lee
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
7.
Extraction of location and energies of traps in nanoscale flash memory using RTN
机译:
使用RTN提取纳米级闪存中陷阱的位置和能量
作者:
Daewoong Kang
;
Sungnam Chang
;
Seungwon Yang
;
Eunjung Lee
;
Seunggun Seo
;
Jeong-Hyuk Choi
;
Byung-Gook Park
;
Jong Duk Lee
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
8.
Novel capacitorless double-gate 1T-DRAM cell having nonvolatile memory function
机译:
具有非易失性存储功能的新型无电容器双栅极1T-DRAM单元
作者:
Ki-Heung Park
;
Min-Kyu Jeong
;
Young Min Kim
;
Kyoung Rok Han
;
Hyuck-In Kwon
;
Seong Ho Kong
;
Jong-Ho Lee
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
9.
Local accumulated free carriers in charge trapping memory
机译:
电荷陷阱存储器中的本地累积自由载流子
作者:
Song Y.C.
;
Liu X.Y.
;
Zhao K.
;
Kang J.F.
;
Hant R.Q.
;
Xia Z.L.
;
Kim D.
;
Lee K.-H.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
10.
Vertical channel double split-gate (VCDSG) flash memory
机译:
垂直通道双分裂闸(VCDSG)闪存
作者:
Jang-Gn Yun
;
Il Han Park
;
Jung Hoon Lee
;
Se-Hwan Park
;
Yoon Kim
;
Dong Hua Lee
;
Seongjae Cho
;
Doo-Hyun Kim
;
Gi Sung Lee
;
Won Bo Sim
;
Jong-Duk Lee
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
11.
SRAM yield and performance enhancements with tri-gate bulk MOSFETs
机译:
三栅极体MOSFET提高SRAM的产量和性能
作者:
Carlson A.
;
Xin Sun
;
Changhwan Shin
;
Tsu-Jae King Liu
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
12.
On the potentiality of planar independent double gate for capacitorless eDRAM
机译:
无电容器eDRAM的平面独立双栅极的潜力
作者:
Puget S.
;
Bossu G.
;
Mazoyer P.
;
Portal J.-M.
;
Masson P.
;
Bouchakour R.
;
Skotnicki T.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
13.
Gated Twin-Bit (GTB) nonvolatile memory device and its operation
机译:
门控双位(GTB)非易失性存储设备及其操作
作者:
Seongjae Cho
;
Il Han Park
;
Jung Hoon Lee
;
Jang-Gn Yun
;
Doo-Hyun Kim
;
Gil Sung Lee
;
Hyungcheol Shin
;
Jong Duk Lee
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
14.
Improving the cell characteristics using arch-active profile in NAND flash memory having 60.nm design rule
机译:
使用具有60.nm设计规则的NAND闪存中的Arch-active Profile改善单元特性
作者:
Daewoong Kang
;
Sungnam Chang
;
Jung Hoon Lee
;
Il Han Park
;
Seunggun Seo
;
Gideok Kwon
;
Kyungmi Bae
;
Inyoung Kim
;
Eunjung Lee
;
Jeong-Hyuk Choi
;
Byung-Gook Park
;
Jong Duk Lee
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
15.
A CMOS continuous-time Gm-C filter and programmable gain amplifier for WPAN receivers
机译:
用于WPAN接收器的CMOS连续时间Gm-C滤波器和可编程增益放大器
作者:
Yeonkug Moon
;
Dong-sun Kim
;
Tae-ho Hwang
;
Yong-Kuk Park
;
Kwang-Ho Won
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
16.
Independent Double Gate - potential for non-volatile memories
机译:
独立的双门-非易失性存储器的潜力
作者:
Bossu G.
;
Puget S.
;
Masson P.
;
Portal J.-M.
;
Bouchakour R.
;
Mazoyer P.
;
Skotnicki T.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
17.
Numerical simulation of on thermal nanoimprint lithography (NIL) process
机译:
热纳米压印光刻(NIL)工艺的数值模拟
作者:
Bum-Goo Cho
;
Soon-Yeol Park
;
Taeyoung Won
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
18.
Design and simulation of folded split gate SONOS memory
机译:
折叠式分割门SONOS存储器的设计与仿真
作者:
Se Hwan Park
;
Il Han Park
;
Jung Hoon Lee
;
Jang-Gn Yun
;
Jong Duk Lee
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
19.
Long-wave infrared detection using dipole antenna-coupled metal-oxide-metal diodes
机译:
使用偶极天线耦合的金属氧化物金属二极管进行长波红外检测
作者:
Bean J.
;
Tiwari B.
;
Bernstein G.H.
;
Fay P.
;
Porod W.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
20.
Pseudospintronics in doped electron-hole silicon bilayer devices
机译:
掺杂电子空穴硅双层器件中的伪自旋电子学
作者:
Gilbert M.J.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
21.
Extremely high thermal conductivity of graphene: Prospects for thermal management applications in silicon nanoelectronics
机译:
石墨烯的极高导热率:硅纳米电子学中热管理应用的前景
作者:
Balandin A.A.
;
Ghosh S.
;
Teweldebrhan D.
;
Calizo I.
;
Bao W.
;
Miao F.
;
Lau C.N.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
22.
Atomistic modeling on carbon co-implant with silicon pre-amorphization implant technique
机译:
碳共注入与硅预非晶化注入技术的原子建模
作者:
Soon-Yeol Park
;
Bum-Goo Cho
;
Taeyoung Won
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
23.
Enhanced solar-light transmission by broadband anti-reflective structure with mesoporous silica of low refractive index
机译:
低折射率的介孔二氧化硅通过宽带抗反射结构增强太阳光的传输
作者:
Chao-Kei Wang
;
Jia-Min Shieh
;
Shich-Chuan Wu
;
Wen-Chien Yu
;
Hao-Chung Kuo
;
Shia-Chia Liu
;
Yi-Fan Lai
;
Kuo-Chen Hsiang
;
Yen-Chang Chen
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
24.
Investigation of resistive probes with high sensitivity
机译:
高灵敏度电阻探针的研究
作者:
Sang Wan Kim
;
Jae Young Song
;
Jong Pil Kim
;
Woo Young Choi
;
Han Ki Chung
;
Jae Hyun Park
;
Hyungsoo Ko
;
Hongsik Park
;
Chulmin Park
;
Seungbum Hong
;
Sung-Hoon Choa
;
Jong Duk Lee
;
Hyungcheol Shin
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
25.
A compact model of fully-depleted surrounding-gate (SG) MOSFETs with a doped body
机译:
具有掺杂体的全耗尽型环绕栅(SG)MOSFET的紧凑模型
作者:
Namki Cho
;
YunSeop Yu
;
SungWoo Hwang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
26.
Improvement of thermal stability and reduction of Schottky barrier height of Ni germanide utilizing Ni-Pt(1) alloy on Ge-on-Si substrate
机译:
利用Ge-on-Si衬底上的Ni-Pt(1%)合金提高热稳定性并降低锗化镍的肖特基势垒高度
作者:
Ying-Ying Zhang
;
Jung-Woo Oh
;
In-Sik Han
;
Zhun Zhong
;
Shi-Guang Li
;
Soon-Yen Jung
;
Kee-Young Park
;
Hong-Sik Shin
;
Won-Ho Choi
;
Ga-Won Lee
;
Jin-Suk Wang
;
Majhi P.
;
Hsing-Huang Tseng
;
Hi-Deok Lee
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
27.
Tri-gate poly-Si thin-film transistor with nanowire channels
机译:
具有纳米线通道的三栅极多晶硅薄膜晶体管
作者:
Hsing-Hui Hsu
;
Homg-Chih Lin
;
Tiao-Yuan Huang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
28.
A novel nanowire array structure for photocurrent enhancement in amorphous silicon solar cell
机译:
用于增强非晶硅太阳能电池光电流的新型纳米线阵列结构
作者:
Chang-Wei Liu
;
Ting-Hsiang Huang
;
Tzu-Chun Chen
;
Zingway Pei
;
Shu-Tong Chang
;
Ren-Yui Ho
;
Min-Wei Ho
;
Yi-Chan Chen
;
Chi-Lin Chen
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
29.
Electrical characteristics of the back-gated bottom-up silicon nanowire field effect transistor
机译:
背面自底向上的硅纳米线场效应晶体管的电学特性
作者:
DukSoo Kim
;
YoungChai Jung
;
MiYoung Park
;
ByungSung Kim
;
SuHeon Hong
;
MinSu Choi
;
MyungGil Kang
;
YunSeop Yu
;
DongMok Whang
;
SungWoo Hwang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
30.
Band structure calculations of Ge-Si core-shell nanowires
机译:
Ge-Si核壳纳米线的能带结构计算
作者:
Yuhui He
;
Chun Fan
;
Yu Ning Zhao
;
Jinfeng Kang
;
Xiao Yan Liu
;
Ruqi Han
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
31.
Size dependence of surface-roughness-limited mobility in Silicon nanowire FETs
机译:
硅纳米线FET中表面粗糙度限制的迁移率的尺寸依赖性
作者:
Poli S.
;
Palat M.G.
;
Poiroux T.
;
Deleonibus S.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
32.
Performance of dual-channel gate-all-around polysilicon nanowire thin-film transistor
机译:
双通道全方位栅多晶硅纳米线薄膜晶体管的性能
作者:
Po-Chun Huang
;
Tzu-Shiun Sheu
;
Chen-Chia Chen
;
Lu-An Chen
;
Jeng-Tzong Sheu
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
33.
Multiple data storage of URAM (Unified-RAM) with multi dual cell (MDC) method
机译:
采用多双单元(MDC)方法的URAM(Unified-RAM)的多数据存储
作者:
Dong-il Bae
;
Bonsang Gu
;
Seong-wan Ryu
;
Yang-Kyu Choi
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
34.
Controlled Ge nanowires growth on patterned Au catalyst substrate
机译:
受控的Ge纳米线在图案化Au催化剂基底上的生长
作者:
Li C.B.
;
Usami K.
;
Mizuta H.
;
Oda S.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
35.
A resistive switch device based on SbTeN chalcogenide film
机译:
基于SbTeN硫属化物膜的电阻开关装置
作者:
Young Sam Park
;
Seung-Yun Lee
;
Sung-Min Yoon
;
Soon Won Jung
;
Byoung Gon Yu
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
36.
Boosting the on-current of silicon nanowire tunnel-FETs
机译:
提升硅纳米线隧道FET的导通电流
作者:
Verhulst A.S.
;
Vandenberghe W.G.
;
De Gendt S.
;
Maex K.
;
Groeseneken G.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
37.
A neuromorphic circuit for motion detection with single-electron devices based on correlation neural networks
机译:
基于相关神经网络的单电子设备运动检测的神经形态电路
作者:
Kikombo A.K.
;
Asai T.
;
Amemiya Y.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
38.
Program/erase characteristics of twin Poly-Si Thin Film Transistors EEPROM with tri-gate nanowires structure
机译:
具有三栅纳米线结构的双多晶硅薄膜晶体管EEPROM的编程/擦除特性
作者:
Yung-Chun Wu
;
Po-Wen Su
;
Chin-Wei Chang
;
Min-Feng Hung
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
39.
Controlled polarisation and excitation of silicon on insulator isolated double quantum dots with remote charge sensing
机译:
绝缘子隔离的双量子点上硅的受控极化和激发,具有远程电荷感测
作者:
Tanner M.G.
;
Podd G.
;
Williams D.A.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
40.
Memory characteristics of Ge
1−x
Si
x
/Si hetero-nanocrystals in metal-oxide-semiconductor structures
机译:
Ge
1-x inf> Si
x inf> / Si杂纳米晶体在金属氧化物半导体结构中的记忆特性
作者:
Shi Y.
;
Lu J.
;
Zuo Z.
;
Chen Y.B.
;
Pu L.
;
Zheng Y.D.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
关键词:
Hetero-nanocrystals;
MOS;
Memory;
41.
Anomalous suppression of single-electron tunnelling observed for Si nanobridge transistors with a suspended quantum dot cavity
机译:
带有悬浮量子点腔的Si纳米桥晶体管的单电子隧穿异常抑制
作者:
Ogi J.
;
Manoharan M.
;
Tsuchiya Y.
;
Oda S.
;
Mizuta H.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
42.
Design optimization of NEMS switches for single-electron logic applications
机译:
用于单电子逻辑应用的NEMS开关的设计优化
作者:
Pruvost B.
;
Mizuta H.
;
Oda S.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
43.
Si bicrystal single-electron FETs
机译:
SI比Crystal single-electron FETs
作者:
Kasai Y.
;
Ishino T.
;
Moraru D.
;
Nuryadi R.
;
Ikeda H.
;
Tabe M.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
44.
Si based single-electron transistor with ultra-thin oxide tunnel barriers fabricated using controlled CMP
机译:
使用受控CMP制作的具有超薄氧化物隧道势垒的Si基单电子晶体管
作者:
Joshi V.
;
Orlov A.O.
;
Snider G.L.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
45.
P-type Si nanocrystal thin-film transistor
机译:
P型硅纳米晶薄膜晶体管
作者:
Xin Zhou
;
Rafiq M.A.
;
Mizuta H.
;
Oda S.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
46.
Room temperature behavior of poly-silicon quantum dot single electron transistors
机译:
多晶硅量子点单电子晶体管的室温行为
作者:
Kwon-Chil Kang
;
Hong Sun Yang
;
Joung-eob Lee
;
Jang-Gn Yun
;
Jung Han Lee
;
Dong-Seup Lee
;
Sang Hyuk Park
;
Jong Duk Lee
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
47.
An n-type silicon nanowire dot based single-electron transistor
机译:
n型硅纳米线点基单电子晶体管
作者:
Shaoyun Huang
;
Maki Shimizu
;
Fukata N.
;
Sekiguchi T.
;
Yamaguchi T.
;
Ishibashi K.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
48.
Multi-peak negative differential resistance arising from tunneling current through few germanium quantum dots
机译:
隧道电流通过几个锗量子点产生的多峰负差分电阻
作者:
Lai W.T.
;
Chen G.H.
;
Kuo D.
;
Li P.W.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
49.
High performance Schottky barrier MOSFETs with workfunction engineering
机译:
具有功函数工程的高性能肖特基势垒MOSFET
作者:
Moongyu Jang
;
Yarkyeon Kim
;
Myungsim Jun
;
Cheljong Choi
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
50.
Fabrication and improved characteristics of self-aligned dual-gate single-electron transistors
机译:
自对准双栅单电子晶体管的制备及改进的性能
作者:
Dong-Seup Lee
;
Sangwoo Kang
;
Kwon-Chil Kang
;
Joung-Eob Lee
;
Hong-Seon Yang
;
Jung Han Lee
;
Sang Hyuk Park
;
Jung Hoon Lee
;
Jong-Duk Lee
;
Hyungcheol Shin
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
51.
Is it possible to avoid uncontrolled multiple tunnel junctions induced by random dopants in heavily-doped silicon single-electron transistors?
机译:
在重掺杂的硅单电子晶体管中,可以避免由随机掺杂剂引起的不受控制的多个隧道结吗?
作者:
Manoharan M.
;
Tsuchiya Y.
;
Oda S.
;
Mizuta H.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
52.
Alternative channel materials for MOS devices
机译:
MOS器件的替代沟道材料
作者:
Heyns M.
;
Adelmann C.
;
Brammertz G.
;
Brunco D.
;
Caymax M.
;
De Jaeger B.
;
Delabie A.
;
Eneman G.
;
Houssa M.
;
Lin D.
;
Martens K.
;
Merckling C.
;
Meuris M.
;
Mittard J.
;
Penaud J.
;
Pourtois G.
;
Scarrozza M.
;
Simoen E.
;
Sioncke S.
;
Wei-E Wang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
53.
Low-voltage green transistor using hetero-tunneling
机译:
使用异质隧道的低压绿色晶体管
作者:
Bowonder A.
;
Patel P.
;
Kanghoon Jeon
;
Jungwoo Oh
;
Majhi P.
;
Hsing-Huang Tseng
;
Chenming Hu
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
54.
Characteristic modulation of silicon MOSFETs and single electron transistors with a movable gate electrode
机译:
具有可移动栅电极的硅MOSFET和单电子晶体管的特性调制
作者:
Park J.S.
;
Saraya T.
;
Miyaji K.
;
Shimizu K.
;
Higo A.
;
Takahashi K.
;
Yi Y.H.
;
Toshiyoshi H.
;
Hiramoto T.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
55.
High electron mobility enhancement on (110) surface due to uniaxial strain and its impact on short channel device performance of SOl FinFETs
机译:
由于单轴应变,(110)表面的电子迁移率大大提高,并且对SOl FinFET的短沟道器件性能产生影响
作者:
Irisawa T.
;
Okano K.
;
Horiuchi T.
;
Itokawa H.
;
Mizushima I.
;
Usuda K.
;
Tezuka T.
;
Sugiyama N.
;
Takagi S.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
56.
First-principles study on inversion layer properties of double-gate atomically thin silicon channel
机译:
双栅极原子薄硅沟道反型层特性的第一性原理研究
作者:
Kageshima H.
;
Fujiwara A.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
57.
Electron mean-free-path experimental extraction on ultra-thin and ultra-short strained and unstrained FDSOI n-MOSFETs
机译:
超薄,超短应变和无应变FDSOI n-MOSFET的电子平均自由程实验提取
作者:
Barral V.
;
Poiroux T.
;
Barraud S.
;
Bonno O.
;
Andrieu F.
;
Buj-Dufournet C.
;
Brevard L.
;
Lafond D.
;
Faynot O.
;
Munteanu D.
;
Autran J.L.
;
Deleonibus S.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
58.
Hole mobility enhancement by 110 uniaxial compressive strain in(110) oriented ultra-thin body pFETs with SOI thickness of less than 4 nm
机译:
SOI厚度小于4 nm的(110)取向超薄pFET中通过110单轴压缩应变增强空穴迁移率
作者:
Shimizu K.
;
Hiramoto T.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
59.
In
o.75
Ga
o.25
As channel III–V MOSFETs with leading performance metrics
机译:
具有领先性能指标的In
o.75 inf> Ga
o.25 inf> As沟道III–V MOSFET
作者:
Hill R.J.W.
;
Moran D.A.J.
;
Li X.
;
Zhou H.
;
Macintyre D.S.
;
Thoms S.
;
Asenov A.
;
Thayne I.G.
;
Droopad R.
;
Rajagopalan K.
;
Fejes P.
;
Passlack M.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
60.
Impact of atomic oxide roughness and local gate depletion on V
th
variation in MOSFETs
机译:
原子氧化物粗糙度和局部栅极耗尽对MOSFET V
th inf>变化的影响
作者:
Putra A.T.
;
Tsunomura T.
;
Nishida A.
;
Kamohara S.
;
Takeuchi K.
;
Hiramoto T.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
61.
Mobilty modeling of strained germanium (s-Ge) quantum well (QW) heterostructure pMOSFETs
机译:
应变锗(s-Ge)量子阱(QW)异质结构MOSFET的迁移率建模
作者:
Krishnamohan T.
;
Anh-Tuan Pham
;
Jungemann C.
;
Meinerzhagen B.
;
Saraswat K.C.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
62.
A comprehensive study of single-electron effects in multiple-gate MOSFETs
机译:
全面研究多栅极MOSFET中的单电子效应
作者:
Wei Lee
;
Pin Su
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
63.
Tri-gate bulk MOSFET design for improved robustness to random dopant fluctuations
机译:
三栅极体MOSFET设计可提高对随机掺杂波动的鲁棒性
作者:
Changhwan Shin
;
Carlson A.
;
Xin Sun
;
Kanghoon Jeon
;
Tsu-Jae King Liu
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
64.
Spin-dependent transport in silicon/silicon-germanium quantum dots
机译:
硅/硅锗量子点中与自旋有关的传输
作者:
Eriksson M.A.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
65.
Three-dimensional super-chip integration technology using self-assembly technique
机译:
利用自组装技术的三维超级芯片集成技术
作者:
Koyanagi M.
;
Fukushima T.
;
Tanaka T.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
66.
Single shot measurement in silicon single electron transistors
机译:
硅单电子晶体管中的单次测量
作者:
Ferrus T.
;
Williams D.A.
;
Hasko D.G.
;
Creswell L.
;
Collier R.J.
;
Lam A.
;
Morrissey Q.R.
;
Burge S.R.
;
French M.J.
;
Briggs G.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
67.
Observation of quantum level spectrum for silicon double single-electron transistors
机译:
硅双单电子晶体管的量子能级谱的观察
作者:
Kawata Y.
;
Yamaguchi T.
;
Ishibashi K.
;
Tsuchiya Y.
;
Oda S.
;
Mizuta H.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
68.
Axially-doped n
+
-p
−
-n
+
and p
+
-n
−
-p
+
silicon nanowires: vapor-liquid-solid growth and field effect transistor characterization
机译:
轴向掺杂的n
+ sup> -p
- sup> -n
+ sup>和p
+ sup> -n
- sup> -p
+ sup>硅纳米线:气液固生长和场效应晶体管表征
作者:
Mayer T.
;
Tsung-ta Ho
;
Yanfeng Wang
;
Vallett A.
;
Dilts S.
;
Nimmatoori P.
;
Bangzhi Liu
;
Mohney S.
;
Redwing J.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
69.
Full adder operation based on Si nanodot array device
机译:
基于Si纳米点阵列器件的完全加法器操作
作者:
Kaizawa T.
;
Arita M.
;
Fujiwara A.
;
Yamazaki K.
;
Ono Y.
;
Inokawa H.
;
Takahashi Y.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
70.
Characterization of a single resonant charge in a silicon nanowire device
机译:
硅纳米线器件中单个谐振电荷的表征
作者:
Pierre M.
;
Jehl X.
;
Sanquer M.
;
Vinet M.
;
Molas G.
;
Deleonibus S.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
71.
Electron transport through silicon multiple quantum dot array devices
机译:
电子通过硅多量子点阵列器件的传输
作者:
Yamahata G.
;
Tsuchiya Y.
;
Mizuta H.
;
Oda S.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
72.
Flicker noise in N-type and P-type silicon nanowire transistors
机译:
N型和P型硅纳米线晶体管中的闪烁噪声
作者:
Seungwon Yang
;
Younghwan Son
;
Sung Dae Suk
;
Dong-Won Kim
;
Donggun Park
;
Kyungseok Oh
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
73.
Experimental study on silicon nanowire nMOSFET and single-electron transistor at room temperature under uniaxial tensile strain
机译:
硅纳米线nMOSFET和单电子晶体管在室温下单轴拉伸应变的实验研究
作者:
YeonJoo Jeong
;
Miyaji K.
;
Hiramoto T.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
74.
3D NEGF simulation of ‘ab initio’ scattering from discrete dopants in the source and drain of a nanowire transistor
机译:
3D NEGF模拟纳米线晶体管的源极和漏极中离散掺杂剂的“从头算”散射
作者:
Seoane N.
;
Martinez A.
;
Brown A.R.
;
Barker J.R.
;
Asenov A.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
75.
Study of low frequency noise behavior in silicon nanowire transistors fabricated with top-to-down approach
机译:
自顶向下方法制造的硅纳米线晶体管中低频噪声行为的研究
作者:
Jing Zhuge
;
Ru Huang
;
Runsheng Wang
;
Liangliang Zhang
;
Kim D.-W.
;
Donggun Park
;
Yangyuan Wang
会议名称:
《》
|
2008年
76.
Transport through single dopants in gate-all-around silicon nanowire MOSFETs (SNWFETs)
机译:
通过全方位栅硅纳米线MOSFET(SNWFET)中的单个掺杂剂进行传输
作者:
Hong B.H.
;
Jung Y.C.
;
Hwang S.W.
;
Cho K.H.
;
Yeo K.H.
;
Yeoh Y.Y.
;
Suk S.D.
;
Li M.
;
Kim D.-W.
;
Park D.
;
Oh K.S.
;
Lee W.-S.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
77.
Three-dimensional quantum simulation of silicon nanowires
机译:
硅纳米线的三维量子模拟
作者:
Schenk A.
;
Luisier M.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
78.
Atomistic study of phonon states in hydrogen-terminated Si ultra-thin films
机译:
氢封端硅超薄膜中声子态的原子学研究
作者:
Sawai S.
;
Uno S.
;
Okamoto M.
;
Tsuchiya Y.
;
Oda S.
;
Mizuta H.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
79.
Control of single dopants in the electron conduction path in SOI doped-nanowire FETs
机译:
SOI掺杂纳米线FET中电子传导路径中的单个掺杂剂的控制
作者:
Moraru D.
;
Nagata D.
;
Yokoi K.
;
Ebisawa K.
;
Tabe M.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
80.
Enhancement of light absorption by Au L/S grating for thin SOI photodetector
机译:
薄SOI光电探测器用Au L / S光栅增强光吸收
作者:
Satoh H.
;
Inokawa H.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
81.
Dynamics of single-electron capture in Si nanowire MOSFETs
机译:
Si纳米线MOSFET中单电子俘获的动力学
作者:
Fujiwara A.
;
Miyamoto S.
;
Nishiguchi K.
;
Ono Y.
;
Zimmerman N.M.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
82.
A capacitor-less 1T-DRAM cell with vertical surrounding gates using gate-induced drain-leakage (GIDL) current
机译:
采用栅极感应的漏漏(GIDL)电流,具有垂直环绕栅极的无电容器1T-DRAM单元
作者:
Han Ki Chung
;
Hoon Jeong
;
Yeun Seung Lee
;
Jae Young Song
;
Jong Pil Kim
;
Sang Wan Kim
;
Jae Hyun Park
;
Jong Duk Lee
;
Hyungcheol Shin
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
83.
Phonon engineered silicon - diamond nanoscale heterostructures with enhanced carrier mobility
机译:
声子设计的具有增强的载流子迁移率的硅-金刚石纳米级异质结构
作者:
Nikal D.L.
;
Pokatilov E.P.
;
Balandin A.A.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
84.
Switching properties of electromechanically bistable and multistable bridges for nonvolatile memory applications
机译:
非易失性存储器应用中的机电双稳态和多稳态电桥的开关特性
作者:
Tsuchiya Y.
;
Matsuda S.
;
Nagami T.
;
Saito S.
;
Arai T.
;
Shimada T.
;
Oda S.
;
Mizuta H.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
85.
An experimental study of TiN gate FinFET SRAM with (111)-oriented sidewall channels
机译:
具有(111)取向侧壁沟道的TiN栅极FinFET SRAM的实验研究
作者:
Liu Y.X.
;
Hayashida T.
;
Matsukawa T.
;
Endo K.
;
Ouchi S.
;
Sakamoto K.
;
Masahara M.
;
Ishii K.
;
Tsukada J.
;
Ishikawa Y.
;
Yamauchi H.
;
Ogura A.
;
Suzuki E.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
86.
Temperature dependence of effective channel length, source/drain resistance, and electron mobility in sub-50 nm MOSFETs
机译:
在低于50 nm的MOSFET中有效沟道长度,源极/漏极电阻和电子迁移率的温度依赖性
作者:
Kim Junsoo
;
Lee Jaehong
;
Yun Yeonam
;
Park Byung-Gook
;
Lee Jong Duk
;
Shin Hyungcheol
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
87.
Ultra-low current resistive memory based on Cu-SiO
2
机译:
基于Cu-SiO
2 inf>的超低电流电阻存储器
作者:
Schindler C.
;
Weides M.
;
Kozicki M.N.
;
Waser R.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
关键词:
nonvolatile memory;
silicon dioxide;
solid electrolyte;
88.
White noise characteristics of nanoscale MOSFETs in all operating regions
机译:
纳米MOSFET在所有工作区域的白噪声特性
作者:
Jongwook Jeon
;
Byung-Gook Park
;
Jong Duk Lee
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
89.
Transient response analysis of programming/readout characteristics for NEMS memory
机译:
NEMS存储器的编程/读出特性的瞬态响应分析
作者:
Nagami T.
;
Matsuda S.
;
Tsuchiya Y.
;
Saito S.
;
Arai T.
;
Shimada T.
;
Mizuta H.
;
Oda S.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
90.
An accurate statistical analysis of random dopant induced variability in 140,000 13nm MOSFETs
机译:
对14万个13nm MOSFET中随机掺杂引起的可变性的准确统计分析
作者:
Reid D.
;
Millar C.
;
Roy S.
;
Roy G.
;
Sinnott R.
;
Stewart G.
;
Asenov A.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
91.
Impact of scaling on electrostatics of Germanium-channel MOSFET — analytical study
机译:
结垢对锗沟道MOSFET静电的影响—分析研究
作者:
Batail E.
;
Monfray S.
;
Pouydebasque A.
;
Ghibaudo G.
;
Skotnicki T.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
92.
Gate all around (GAA) strained-silicon-on-nothing (SSON) MOSFETs and evaluation of their strain by nano-beam diffraction (NBD)
机译:
栅极全栅(GAA)无应变硅(SSON)MOSFET并通过纳米束衍射(NBD)评估其应变
作者:
Usuda K.
;
Nakaharai S.
;
Irisawa T.
;
Moriyama Y.
;
Hirashita N.
;
Tezuka T.
;
Yamashita Y.
;
Taoka N.
;
Kiso O.
;
Yamarnoto T.
;
Sugiyama N.
;
Takagi S.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
93.
Full 3-D simulation of gate line edge roughness impact on sub-30nm FinFETs
机译:
栅极线边缘粗糙度对30nm以下FinFET的影响的完整3-D模拟
作者:
Shimeng Yu
;
Yuning Zhao
;
Yuncheng Song
;
Gang Du
;
Jinfeng Kang
;
Ruqi Han
;
Xiaoyan Liu
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
94.
Multigate SOI MOSFETs: Accumulation-mode vs. enhancement-mode
机译:
多栅极SOI MOSFET:累积模式与增强模式
作者:
Afzalian A.
;
Lederer D.
;
Lee C.-W.
;
Yan R.
;
Xiong W.
;
Rinn Cleavelin C.
;
Colinge J.-P.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
|
2008年
95.
Extraction of RF parameters in planar channel MOSFETs through RF device modeling
机译:
通过RF器件建模提取平面沟道MOSFET中的RF参数
作者:
Ju-Wan Lee
;
Sung-Man Cho
;
Gwang-Doo Jo
;
Young-Kwang Kim
;
Il-Hun Son
;
Jong-Ho Lee
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
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2008年
96.
Theoretical investigation and analytical modelling of Metal Insulator Metal gate controlled tunnelling Transistor
机译:
金属绝缘子金属栅控隧穿晶体管的理论研究与分析建模
作者:
Ferrier M.
;
Zhang D.
;
Griffin P.
;
Clerc R.
;
Monfray S.
;
Skotnicki T.
;
Nishi Y.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
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2008年
97.
Quantum simulation study of dual-material double gate (DMDG) MOSFET: NEGF approach
机译:
双材料双栅极(DMDG)MOSFET的量子仿真研究:NEGF方法
作者:
Arefinia Z.
;
Orouji A.A.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
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2008年
98.
New observation of an abnormal leakage current in advanced CMOS devices with short channel lengths down to 50nm and beyond
机译:
新观察到短沟道长度低至50nm甚至更高的先进CMOS器件中的异常泄漏电流
作者:
Hsieh E.R.
;
Chung S.S.
;
Lin Y.H.
;
Tsai C.H.
;
Liu P.W.
;
Tsai C.T.
;
Ma G.H.
;
Chien S.C.
;
Sun S.W.
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
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2008年
99.
Asymmetric gate capacitance and high frequency characteristic fluctuations in 16 nm bulk MOSFETs due to random distribution of discrete dopants
机译:
由于离散掺杂物的随机分布,导致16 nm体MOSFET的栅极电容不对称和高频特性波动
作者:
Yiming Li
;
Chih-Hong Hwang
;
Ta-Ching Yeh
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
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2008年
100.
Finger number and width variation effect of nano-scale strained NMOS device with and without protection diode
机译:
带有和不带有保护二极管的纳米级应变NMOS器件的手指数和宽度变化效应
作者:
Sung-Man Cho
;
Gwang-Doo Jo
;
Young-Kwang Kim
;
Il-Hun Son
;
Hyuck-In Kwon
;
Jong-Ho Lee
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008》
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2008年
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