声明
摘要
第1章 绪论
1.1 引言
1.2 Si(111)衬底GaN外延结构与应力来源
1.2.1 GaN的晶体和能带结构及基本性质
1.2.2 Si衬底GaN基薄膜应力产生来源
1.3 GaN薄膜应力测试方法
1.3.1 薄膜曲率测试法
1.3.2 X射线衍射法
1.3.3 微区拉曼应力测试法
1.4 文献回顾与相关研究
1.5 本论文的研究内容及行文安排
参考文献
第2章 Si衬底GaN基LED单颗芯片应力分布及其影响研究
2.1 引言
2.2 实验
2.2.1 样品制备
2.2.2 外延片应力测试
2.2.3 外延片TEM测试
2.2.4 外延片SIMS测试
2.2.5 芯片光电性能测试
2.3 结果与讨论
2.4 总结
参考文献
第3章 Si衬底GaN基LED制程中应力变化的研究
3.1 引言
3.2 Si衬底GaN基LED芯片制作工艺
3.3 不同缓冲层厚度Si衬底GaN基LED芯片制程中的应力变化对比
3.3.1 实验
3.3.2 结果与讨论
3.3.3 小结
3.4 转移到蜡基板上的GaN薄膜应力分布
3.5 总结
参考文献
第4章 结论
致谢