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声明
第一章绪论
§1.1紫外APD概述
§1.2 4H-SiC材料性质
§1.3 4H-SiC APD的研究现状
§1.4 4H-SiC p型欧姆接触的研究现状
§1.5本文的研究目的
§1.6本文的工作及组织结构
参考文献
第二章4H-SiC APD的工作原理及结构设计
§2.1 APD的工作原理
§2.1.1 PN结的电击穿
§2.1.2雪崩光电探测器的工作原理
§2.2 APD的性能参数
§2.3 APD的结构及材料设计
§2.3.1器件结构设计
§2.3.2材料结构设计
§2.3.3光谱响应的理论分析
§2.3.4时间响应的理论分析
§2.3.5小电压下4H-SiC APD的光谱响应分析
§2.4本章结论
参考文献
第三章低击穿电压的SAM结构4H-SiC APD
§3.1材料结构参数
§3.2工艺流程及版图设计
§3.2.1器件工艺流程
§3.2.2版图设计
§3.3器件制备工艺
§3.3.1外延片的标准清洗
§3.3.2台面制备
§3.3.3钝化层和减反射膜的制备
§3.3.4电极及焊盘的制备
§3.4测试系统简介
§3.4.1测试仪器
§3.4.2测量方法
§3.4.3光源校准及绝对光谱响应的测量
§3.5测试结果与讨论
§3.5.1反向I-V特性及倍增因子
§3.5.2线性特性
§3.5.3正向I-V特性及理想因子
§3.5.4光谱响应特性和量子效率
§3.5.5探测率与噪声等效功率
§3.6本章结论
参考文献
第四章4H-SiC p型欧姆接触的研究
§4.1 4H-SiC欧姆接触概述
§4.2欧姆接触的形成机理
§4.2.1金属-半导体接触
§4.2.2欧姆接触形成机理
§4.3比接触电阻ρc及其测量
§4.3.1比接触电阻ρc的定义
§4.3.2比接触电阻ρc的测量
§4.4 p型欧姆接触的制备
§4.4.1外延片的选择
§4.4.2金属的选择
§4.4.3版图设计
§4.4.4工艺流程
§4.5测试结果与分析
§4.5.1四种欧姆接触的性能比较
§4.5.2 Ti(1200 (A))/Al(600 (A))/Au(850 (A))4H-SiC p型欧姆接触的研究
§4.6本章结论
参考文献
第五章工作总结与展望
§5.1工作总结
§5.2今后的工作计划
附录:博士期间发表论文及申请专利
致谢