声明
摘要
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 二维材料研究进展
1.3 h-BN研究的现状和挑战
1.4 解决当前问题的方法
1.5 论文框架
第二章 实验方法和表征技术
2.1 实验方法
2.1.1 低压化学气相沉积(LPCVD)
2.1.2 氢化物气相外延(HVPE)
2.2 表征技术
2.2.1 原子力显微镜(AFM)
2.2.2 扫描电子显微镜(SEM)
2.2.3 透射电子显微镜(TEM)
2.2.4 X射线光电子能谱分析(XPS)
2.2.5 拉曼光谱(Raman)
2.2.6 扫描探针显微镜(SPM)
2.2.7 四探针法测I-V
2.2.8 紫外可见分光光度计
2.2.9 俄歇电子能谱仪(AES)
第三章 卷对卷超大h-BN薄膜的LPCVD合成技术
3.1 引言
3.2 单原子层二维h-BN薄膜的Cu箔生长技术
3.2.1 六方氮化硼在Cu箔上生长技术
3.2.2 六方氮化硼薄片的成核接合机制
3.2.3 PMMA辅助的六方氮化硼薄膜转移技术
3.2.4 六方氮化硼薄膜的特性表征
3.3 晶片级单层h-BN的管式LPCVD生长技术
3.3.1 Cu箔的电化学抛光预处理技术
3.3.2 晶片级大尺寸单层h-BN合成技术
3.3.3 2 inch和4 inch晶圆的h-BN的转移技术
3.4 卷对卷超大h-BN薄膜合成方法
3.4.1 发条状Cu箔圈卷和叉状支撑技术
3.4.2 卷对卷25 inch h-BN合成与转移技术
3.5 小结
第四章 h-BN薄膜的p、n型导电掺杂技术
4.1 引言
4.2 六方氮化硼薄膜的p型掺杂技术
4.2.1 六方氮化硼p型掺杂方案
4.2.2 h-BN薄膜的LPCVD同步Mg掺杂技术
4.2.3 p型掺杂的六方氮化硼的性能表征
4.3 六方氮化硼薄膜的n型掺杂技术
4.3.1 六方氮化硼n型掺杂的技术方案
4.3.2 h-BN薄膜的超短脉冲C掺杂技术
4.3.3 Cu箔上h-BN导向的单晶石墨烯直接生长技术
4.3.4 h-BN导向的大面积单晶石墨烯的性能表征
4.4 小结
第五章 晶片级大尺寸h-BN原子层薄膜应用研究
5.1 引言
5.2 h-BN超薄插入层的GaN厚膜原位自分离技术
5.2.1 HVPE的GaN厚膜生长技术
5.2.2 h-BN薄瞳完整覆盖2 inch GaN晶圆技术
5.2.3 h-BN/GaN侧向穿透外延萱生长GaN厚膜技术
5.3 h-BN预导向生长超长ZnO纳米柱阵列及柔性纳米发电机制备
5.3.1 h-BN预导向的超长ZnO纳米柱阵列生长技术
5.3.2 起长ZnO纳米柱生长机制及特性表征
5.3.3 超长ZnO纳米柱阵列的压电纳米发电机制备
5.3.4 柔性压电纳米发电机性能表征
5.4 小结
第六章 总结与展望
参考文献
附录 硕士期间发表的论文
致谢