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Deep-UV Transparent Conductive ss-Ga_2O_3 Film

机译:深紫外透明导电ss-Ga_2O_3膜

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摘要

Deep ultraviolet transparent and electrical conductive β-Ga_2O_3 film was prepared on SiO_2 glass substrate. The film had electric conductivity of 1 Scm~(-1), carrier density of 1.4 x 10~(19)cm~(-3) and mobility of 0.44 cni~2V~(-1)s~(-1). Internal transmittance at wavelength of 248 nm exceeded 50%. Conductivity was enhanced at an oxygen pressure less than 10~(-4) Pa, and transparency appeared at a substrate temperature over 800℃.
机译:在SiO_2玻璃基板上制备了深紫外透明导电β-Ga_2O_3薄膜。该膜的电导率为1Scm〜(-1),载流子密度为1.4×10〜(19)cm〜(-3),迁移率为0.44cni〜2V〜(-1)s〜(-1)。 248nm波长的内部透射率超过50%。在氧气压力小于10〜(-4)Pa的情况下,电导率得到了提高,而在基板温度超过800℃时出现了透明性。

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