Development Department, Aisin Seiki Co., Ltd., Kariya, 448-8650, Japan;
机译:温度相关的霍尔载流子密度和霍尔迁移率数据的供体和受体配合的当量:ZnO的情况
机译:温度相关的霍尔载流子密度和霍尔迁移率数据的供体和受体配合的当量:ZnO的情况
机译:退火条件和Si / Al膜的厚度比对金属诱导的Si / Al / Si / SiO2 /玻璃样品的霍尔结晶中霍尔载流子迁移率,Al载流子浓度和形成的纳米空隙的影响
机译:Agbite_2-AG_2TE复合材料的霍尔载体移动性
机译:使用门控霍尔法提取InGaAs金属氧化物半导体结构中的载流子迁移率和界面陷阱密度。
机译:应变使柔性有机晶体管的电荷载流子迁移率大幅各向异性增强:霍尔效应和拉曼研究
机译:极性反转电压对硅橡胶/碳化硅复合材料中电荷累积和载流子迁移的影响