MIRAI-ASET, Tsukuba, Japan;
机译:通过有机硅氧烷蒸汽退火从多孔硅低k膜的等离子体工艺引起的损伤中恢复
机译:TMCTS甲硅烷基化处理对低k沸石多孔硅膜交联密度的影响
机译:改善多孔低k膜性能的新型有机硅氧烷气相退火工艺
机译:等离子体处理和TMCTS蒸汽退火对多孔低k薄膜增强的影响
机译:用于高级互连的多孔低k电介质的机械可靠性:多孔低k电介质的不稳定性机理及其通过惰性等离子体引发的骨架结构再聚合的介导研究。
机译:六氟化硫气体和后退火处理对电感耦合等离子体刻蚀钛酸钡薄膜的影响
机译:He / H-2下游等离子体修饰的等离子体增强化学气相沉积SiCOH低k薄膜的纳米压痕研究