Charles Stark Draper Laboratory, 555 Technology Square, Cambridge, MA 02139;
机译:基于自组装GeSi / Si(001)纳米岛阵列的光电二极管,该阵列由硅的升华分子束外延和锗的气相外延共同形成
机译:表面活性剂介导的硅(001)衬底上的硅锗膜的外延
机译:硅阱中绝缘分子上的锗光电探测器以不同的分子束外延生长
机译:硅锗外延:MEMS的新材料
机译:通过分子束外延生长的碳化硅/硅(001)和碳化锗/锗(001)合金中的碳结合途径和晶格位点分布。
机译:硅上的锗外延
机译:富锗硅锗材料用于场效应模块化应用
机译:硅,硅/锗和碳化硅的原子层外延通过提取/交换过程