Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, 259 Wen-Hwa 1st Road, Kwei-Shan, Tao-Yuan, Taiwan, Republic of China;
multiple quantum-well; light emitting diode; multiquantum barrier; InGaN/GaN; ideality factor;
机译:基于GaN / InGaN / AlGaN / InGaN / GaN的梯度成分的InGaN基蓝色发光二极管的载流子分布改善
机译:多量子势垒对InGaN / GaN多量子阱发光二极管中载流子复合的影响
机译:高温对具有多量子势垒的InGaN / GaN蓝色发光二极管的光学性能的影响
机译:具有多腔室屏障的InGaN / GaN蓝发光二极管载体动力学的表面状态电荷波动
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:高性能GaN / InGaN核壳纳米线发光二极管的载流子动力学和光电特性
机译:最后势垒对蓝色InGaN / GaN发光二极管效率提高的影响