Institute for Microelectronics, Technische Universitaet Wien Gusshausstr. 27-29, A-1040 Vienna, Austria;
机译:使用蒙特卡洛模拟从0.1到300 keV的晶体硅中离子注入剖面的采样校准
机译:蒙特卡洛模拟法在校准策略评估中的应用-第一部分:蒙特卡洛数学概论
机译:蒙特卡洛模拟法在校准策略评估中的应用-第三部分:线性校准的评估
机译:校准Monte Carlo在宽度SiGe中的离子植入仿真
机译:使用蒙特卡洛模拟的三维图像重建新的相机校准精度标准。
机译:肝铁超负荷中的弛豫铁校准:蒙特卡洛模型的预测
机译:星团的蒙特卡罗模拟IV:蒙特卡罗代码的校准以及与开放星团m67的观测的比较
机译:蒙特卡罗模拟弛豫si(1-x)Ge(x)衬底上应变si层的电子输运性质