P.N.Lebedev Physical Institute, Leninsky pr. 53, 117924, Moscow, Russia;
P.N.Lebedev Physical Institute, Leninsky pr. 53, 117924, Moscow, Russia;
机译:半导体发光元件的基板的制造方法及使用该基板的半导体发光元件的方法的专利
机译:蓝宝石衬底上GaN中的发光功率集成电路的发光二极管和功率金属氧化物半导体沟道高电子迁移率晶体管的单片集成
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机译:半导体中的发光放电
机译:含铝III-V半导体的自然氧化,可应用于边缘发射和表面发射激光器以及发光二极管的稳定化。
机译:卤化亚铜半导体作为高效发光二极管的新手段
机译:评“直接测量从电子发射的俄歇电子 电注入半导体发光二极管:识别 效率下垂的主导机制“[phys.Rev。Lett.110,177406 (2013)]