Graduate Institute of Precision Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan,Department of Photonics and Advanced Optoelectronic Technology Center, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan;
Department of Photonics and Advanced Optoelectronic Technology Center, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan;
Single crystal; P-Ga_2O_3; photoresponsivity; annealing;
机译:正统缺陷选择刻蚀在研究GaN单晶,外延层和器件结构中的应用
机译:光电器件中几层β-InSe和α-ln_2Se_3单晶的温度依赖性生长
机译:基于Tlinsse单晶的光电器件高性能可见光光电探测器
机译:基于单晶β-GA2O3外延层的光电器件光反应性研究
机译:基于4H-SiC N型外延层和像素Cdznte单晶装置的高分辨率辐射检测器
机译:在光电器件应用中在聚合物衬底上自底向上生长n型单层分子晶体
机译:基于二维层状单晶铬磷酸盐(CRPS4)的突触装置
机译:用于III-V和纳米电子和介观器件的单晶外延锗基欧姆接触结构