IMEP, Minatec-INPG, BP 257, 38016 Grenoble, France;
Fully Depleted SOI; low frequency noise; substrate noise; BOX/substrate interface charge fluctuation; substrate doping; BOX material;
机译:超大规模FD-SOI n-MOSFET中的低频噪声可变性:取决于栅极偏置,频率和温度
机译:接口耦合条件下14 nm FD-SOI CMOS器件迁移率的低温表征
机译:低频噪声变异性对超大规模CMOS器件统计参数提取的影响
机译:箱/基板接口对FD-SOI器件低频噪声的影响
机译:研究毫米波和太赫兹频率下硅衬底的特性及其对无源和有源器件的影响。
机译:聚合物基板上的低噪声氮化硅纳米孔器件
机译:GaAs MESFET电流中的低频噪声与衬底电导率和沟道-衬底结点有关
机译:用于aBCs器件的低缺陷密度基板和高质量外延衬底接口以及声子介导的THz激光器的进展